2、VSS（电源负）：0V或地电位，具体取决于应用和设计。3、VEE（增强极电压）：通常为正电压，用于增强PMOS管的导通能力。具体数值取决于应用和设计。4、VGS（栅极电压）：通常为负电压，用于控制PMOS管的导通和截止。具体数值取决于应用和设计。5、DS（源极电压）：通常为正电压，与VCC相连。具体数值取决于应用和设计。6、SS（栅极电压）：通常为正电压，与VCC相连。具体数值取决于应用和设计。7、GN（栅极负电压）：通常为负电压，用于控制NMOS管的导通和截止。具体数值取决于应用和设计。8、GS（源极电压）：通常为正电压，与VSS相连。具体数值取决于应用和设计。