GTR目前的额定值已经达到了1800伏特/800安培/2千赫兹、1400伏特/600安培/5千赫兹、600伏特/3安培/100千赫兹。这表明GTR在高频应用方面也有一定的优势。IGBT的频率通常不会超过100千赫兹，不过它在高频性能方面要比GTR好很多。MOSFET理论上可以工作的频率达到1兆赫兹，也就是1000千赫兹。不过在实际应用中，MOSFET常用的频率段一般为几百千赫兹左右。因此，从频率范围来看，大致的排序应该是GTO、GTR、IGBT、MOSFET。