2、催化氧化反应：HCl可以催化氧化反应，如SiH4+O2→SiO2+H2O，促进膜的形成，提高了膜的质量。3、滞留效应：HCl可以影响反应气体（如SiH4、NH3等）在半导体表面的滞留时间和分布，影响膜的成分、结构和性质。4、减少杂质：HCl可以减少氢和其他杂质对膜形成的干扰，提高了膜的纯度和均匀性。