对于硅晶片来说，通常使用的晶核冷却速度在1000-2000°C/s之间。而对于其他材料，如锗、III-V族半导体等，晶核冷却速度的选择可能会有所不同。晶核是指在一定条件下，由同温层以下空气中一颗颗肉眼看不到的微尘粒子做"晶核"，依托同温层以下空气中微尘粒子做"晶核"，在较低的温度下形成的一个物质集团。