ALD技术是一种利用化学反应来控制原子层沉积的技术，它可以控制原子层沉积的厚度，从而获得原成分比合金薄膜。ALD技术的基本原理是，在沉积过程中，将原子层沉积在衬底上，并在衬底上形成一层原子层。