1、沉积硼化（沉积硼化硅SiBx）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子）层，在硅晶片表面生长一层SiBx，在800-1000°C的高温下，硼化硅分解，释放出硼原子。2、高温扩散：在高温（1000°C）条件下，硼原子会扩散进入硅晶体中，形成浅层p-n结和浅层p+结。