会。当CMOS技术进入65nm、45nm及更小节点以后，有源区结深越来越浅，而钴硅化物在形成过程中需消耗较多的高掺杂硅；同时对硅化物过程中的热预算有更具有工艺简单、高温稳定的特点。所以钴硅化物形成会把钴消耗完。