1、局部应力工艺：通过晶体管周围薄膜和结构之间形成应力。2、源漏区嵌入SiGe层：在器件沟道下方嵌入SiGe层。3、应力记忆技术：此技术应用在NMOS器件性能提升，金属前通孔双极应力刻蚀阻挡层技术也是有效的局部应力工艺，拉应力可以提高NMOS的器件性能，而压应力可以提高PMOS的器件性能。