2、在第一层晶片上进行正常的工艺步骤，形成所需的集成电路图形，在第一层晶片上形成蚀刻中止层。3、在第一层晶片上键合第二层晶片，并使第一层晶片上的对准标记有效露出。4、涂布正光刻胶，去除超出第二层晶片片范围的光刻胶，然后将第二层晶片对准第一层品片上露出的对准标记。