ΔG=(μb?ρ)/(2π)(ln(2L/b)-1/4)。其中，ΔG表示位错穿越孪晶界时的增加的自由能；μ为材料的剪切模量；b为位错向量的长度；ρ为位错密度；L为孪晶片的长度。此外，该公式还考虑了孪晶界的角度和方向。需要注意的是，该公式适用于理想情况下的阻力估算，实际的阻力会受到多种因素的影响，包括位错类型、结构缺陷、晶体取向等等。