班级： 粉体0902

学号： 0703090515

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引言—

放电等离子烧结(SPS) 是近年来发展起来的一种新型的快速烧结技术. 由于等离子活化烧结技术融等离子活化、热压、电阻加热为一体,因而具有升温速度快、烧结时间短、晶粒均匀、有利于控制烧结体的细微结构、获得的材料致密度高、性能好等特点. 该技术利用脉冲能、放电脉冲压力和焦耳热产生的瞬时高温场来实现烧结过程,对于实现优质高效、低耗低成本的材料制备具有重要意义,在纳米材料、复合材料等的制备中显示了极大的优越性,现已应用于金属、陶瓷、复合材料以及功能材料的制备[1 ,2 ] . 目前国内外许多大学和科研机构用SPS 进行新材料的研究与开发,并对其烧结机理与特点进行深入研究与探索,尤其是其快速升温的特点,可作为制备纳米块体材料的有效手段, 因而引起材料学界的特别关注[3～5 ] . 但目前关于SPS 的烧结机理还存在争议,尤其是烧结的中间过程还有待于深入研究,为此,本文将对SPS 技术的合成原理和烧结工艺予以介绍和讨论.

目录

引言....................................................2

一、SPS合成技术原理..........................................................................................4

1、等离子体

2、等离子体一般分两类

3、等离子体烧结技术(SPS)

4、放电等离子烧结优点

5、等离子体烧结技术的原理

6、等离子体烧结技术的适用范围

二、等离子体放电烧结工艺...........................................................................7

1、等离子体烧结技术的工艺设备

2、等离子体烧结技术的工艺流程

3、等离子体烧结工艺参数的控制

三、总结与展望.............................................................................................10

四、 参考文献....................................................................................................11

   一、等离子体

      等离子体是宇宙中物质存在的一种状态，是除固、液、气三态外物质的第四种状态。所谓等离子体就是指电离程度较高、电离电荷相反、数量相等的气体，通常是由电子、离子、原子或自由基等粒子组成的集合体。 

处于等离子体状态的各种物质微粒具有较强的化学活性，在一定的条件下可获得较完全的化学反应。

之所以把等离子体视为物质的又一种基本存在形态，是因为它与固、液、气三态相比无论在组成上还是在性质上均有本质区别。即使与气体之间也有着明显的差异。 

首先，气体通常是不导电的，等离子体则是一种导电流体而又在整体上保持电中性。

其二，组成粒子间的作用力不同，气体分子间不存在静电磁力，而等离子体中的带电粒子之间存在库仑力，并由此导致带电粒子群的种种特有的集体运动。

第三，作为一个带电粒子系，等离子体的运动行为明显地会收到电磁场影响和约束。 

需要说明的是，并非任何电离气体都是等离子体。只要当电离度大到一定程度，使带电粒子密度达到所产生的空间电荷足以其自身运动时，体系的性质才会从量变到质变，这样的“电离气体”才算转变成等离子体。

否则，体系中虽有少数粒子电离，仍不过是互不相关的各部分的简单加和，而不具备作为物质的第四态的典型性和特征，仍属于气态。 

 2、等离子体一般分两类

第一类是高温等离子体或称热等离子体（亦称高压平衡等离子体）

此类等离子体中，粒子的激发或是电离主要是通过碰撞实现，当压力大于1.33×104Pa时，由于气体密度较大，电子撞击气体分子，电子的能量被气体吸收，电子温度和气体温度几乎相等，即处于热力学平衡状态。 

第二类是低温等离子体（亦称冷等离子体）

在低压下产生，压力小于1.33×104Pa时，气体被撞击的几率减少，气体吸收电子的能量减少，造成电子温度和气体温度分离，电子温度比较高（104K）而气体的温度相对比较低（102~103K），即电子与气体处于非平衡状态。气体压力越小，电子和气体的温差就越大。

下图表格为：等离子体的主要产生途径

3、等离子体烧结技术(SPS)

放电等离子烧结（Spark Plasma Sintering）简称SPS，是近年来发展起来的一种新型的快速烧结技术。 

该技术是在粉末颗粒间直接通入脉冲电流进行加热烧结，因此有时也被称为等离子活化烧结(Plasma Activated Sinteriny,PAS)或等离子体辅助烧结（Plasma Assister Sinteriny,PAS）。 

该技术是通过将特殊电源控制装置发生的ON-OFF直流脉冲电压加到粉体试料上，除了能利用通常放电加工所引起的烧结促进作用（放电冲击压力和焦耳加热）外，还有效利用脉冲放电初期粉体间产生的火花放电现象（瞬间产生高温等离子体）所引起的烧结促进作用通过瞬时高温场实现致密化的快速烧结技术。

4.放电等离子烧结优点

◆放电等离子烧结由于强脉冲电流加在粉末颗粒间，因此可产生诸多有利于快速烧结的效应。其相比常规烧结技术有以下优点：

⏹  烧结速度快；

⏹  改进陶瓷显微结构和提高材料的性能 

◆放电等离子烧结融等离子活化、热压、电阻加热为一体，升温速度快、烧结时间短、烧结温度低、晶粒均匀、有利于控制烧结体的细微结构、获得材料的致密度高，并且有着操作简单、再现性高、安全可靠、节省空间、节省能源及成本低等优点。

5、等离子体烧结技术的原理

SPS烧结机理目前还没有达成较为统一的认识，其烧结的中间过程还有待于进一步研究。

▪目前一般认为：SPS过程除具有热压烧结的焦耳热和加压造成的塑性变形促进烧结过程外，还在粉末颗粒间产生直流脉冲电压，并有效利用了粉体颗粒间放电产生的自发热作用，因而产生了一些SPS过程特有的现象 。

放电等离子体形成的机理示意图

SPS中施加直流开关脉冲电流的作用 

第一，由于脉冲放电产生的放电冲击波以及电子、离子在电场中反方向的高速流动，可使粉末吸附的气体逸散，粉末表面的起始氧化膜在一定程度上被击穿，使粉末得以净化、活化；

第二，由于脉冲是瞬间、断续、高频率发生，在粉末颗粒未接触部位产生的放电热，以及粉末颗粒接触部位产生的焦耳热，都大大促进了粉末颗粒原子的扩散，其扩散系数比通常热压条件下的要大得多，从而达到粉末烧结的快速化;

第三，ON- OFF快速脉冲的加入，使粉末内的放电部位及焦耳发热部件，都会快速移动，使粉末的烧结能够均匀化。使脉冲集中在晶粒结合处是SPS过程的一个特点。

SPS过程中，颗粒之间放电时，会瞬时产生高达几千度至1万度的局部高温，在颗粒表面引起蒸发和熔化，在颗粒接触点形成颈部，由于热量立即从发热中心传递到颗粒表面和向四周扩散，颈部快速冷却而使蒸汽压低于其他部位。

气相物质凝聚在颈部形成高于普通烧结方法的蒸发-凝固传递是SPS过程的另一个重要特点。 

晶粒受脉冲电流加热和垂直单向压力的作用，体扩散、晶界扩散都得到加强，加速了烧结致密化过程，因此用较低的温度和比较短的时间可得到高质量的烧结体。SPS过程可以看作是颗粒放电、导电加热和加压综合作用的结果。

S. W. Wang和L. D.Chen等人分别对导电Cu粉和非导电Al2O3粉进行SPS烧结研究，认为导电材料和非导电材料存在不同的烧结机理，导电粉体中存在焦耳热效应和脉冲放电效应，而非导电粉体的烧结，主要源于模具的热传导。 

放电等离子烧结的中间过程和现象十分复杂，许多科学家们对SPS的烧结过程建立了模型。U.Anselmi-Tamburini等对SPS过程中的电流和温度的分布进行了模拟，认为温度的分布和电流的分布紧密相关。 

（a）温度分布                                   （b）热流分布

非导电材料(Al2O3)SPS烧结时计算的温度分布和热流分布 

非导电（Al2O3）和导电（Cu）材料计算的径向温度分布 

可以看出，非导电粉体在径向方向上存在大的温度梯度，这必将导致烧结体形成不均匀的化学组分和微观结构。电流的分布和辐射热损失是导致试样和模具外表面存在温度梯度的主要原因。 

6、等离子体烧结技术的适用范围

由于其独特的烧结机理，SPS技术具有升温速度快、烧结温度低、烧结时间短、节能环保等特点，SPS已广泛应用于纳米材料、梯度功能材料、金属材料、磁性材料、复合材料、陶瓷等材料的制备。

三、等离子体放电烧结工艺 

1、等离子体烧结技术的工艺设备

SPS系统包括一个垂直单向加压装置和加压自动显示系统以及一个电脑自动控制系统，一个特制的带水冷却的通电装置和支流脉冲烧结电源，一个水冷真空室和真空/空气/氢气/氧气/氢气气氛控制系统，各种内锁安全装置和所有这些装置的控制操作面板。 

放电等离子烧结系统示意图

1.上电极  2.下电极  3.粉末  4.下压头  5.下电极  6.模具

SPS利用直流脉冲电流直接通电烧结的加压烧结方法，通过调节脉冲直流电的大小控制升温速率和烧结温度。整个烧结过程可在真空环境下进行，也可在保护气氛中进行。烧结过程中，脉冲电流直接通过上下压头和烧结粉体或石墨模具，因此加热系统的热容很小，升温和传热速度快，从而使快速升温烧结成为可能。 

五、等离子体烧结技术的工艺流程

六、子体烧结工艺参数的控制

烧结气氛

  烧结气氛对样品烧结的影响很大（真空烧结情况除外），合适的气氛将有助于样品的致密化。 

在氧气气氛下，由于氧被烧结物表面吸附或发生化学反应作用，使晶体表面形成正离子缺位型的非化学计量化合物，正离子空位增加，同时使闭口气孔中的氧可直接进入晶格，并和氧离子空位一样沿表面进行扩散，扩散和烧结加速。当烧结由正离子扩散控制时，氧化气氛或氧分压较高并有利于正离子空位形成，促进烧结；由负离子扩散控制时，还原气氛或较低的氧分压将导致氧离子空位产生并促进烧结。 

在氢气气氛下烧结样品时，由于氢原子半径很小，易于扩散并有利于闭口气孔的消除，氧化铝等类型的材料于氢气气氛下烧结可得到接近于理论密度的烧结体样品。

烧结温度

烧结温度是等离子快速烧结过程中一个关键的参数之一。烧结温度的确定要考虑烧结体样品在高温下的相转变、晶粒的生长速率、样品的质量要求以及样品的密度要求。一般情况下，随着烧结温度的升高，试样致密度整体呈上升趋势，这说明烧结温度对样品致密度程度有明显的影响，烧结温度越高，烧结过程中物质传输速度越快，样品越容易密实。 

但是，温度越高，晶粒的生长速率就越快，其力学性能就越差。而温度太低，样品的致密度就很低，质量达不到要求。温度与晶粒大小之间的矛盾在温度的选择上要求一个合适的参数。 

延长烧结温度下的保温时间，一般都会不同程度地促进烧结完成，完善样品的显微结构，这对粘性流动机理的烧结较为明显，而对体积扩散和表面扩散机理的烧结影响较小。在烧结过程中，一般保温仅1分钟时，样品的密度就达到理论密度的96.5%以上，随着保温时间的延长，样品的致密度增大，但是变化范围不是很大，说明保温时间对样品的致密度虽然有一定的影响，但是作用效果不是很明显。但不合理地延长烧结温度下的保温时间，晶粒在此时间内急剧长大，加剧二次重结晶作用，不利于样品的性能要求，而时间太短会引起样品的致密化下降，因此需要选择合适的保温时间。

升温速率

时间升温速率的加快，使得样品在很短的时间内达到所要求的温度，晶粒的生长时间会大大减少，这不仅有利于抑制晶粒的长大，得到大小均匀的细晶粒陶瓷，还能节约时间、节约能源以及提高烧结设备的利用率。但是，由于设备本身的，升温速率过快对设备会造成破坏性影响。因此在可允许的范围内尽可能的的加快升温速率。但是，在实测的实验数据中反映到。与烧结温度和保温时间不同，升温速率对样品致密度的影响显示出相反的结果，即随着升温速率的增大，样品致密度表现粗化逐渐下降的趋势，有学者提出这是因为在烧结温度附近升温速率的提高相当于缩短了保温时间，因而样品致密度会有所下降。

在实际的高温烧结过程中，升温过程一般分为三个阶段，分别为从室温至600℃左右、600℃至900℃左右、900℃至烧结温度：

第一阶段是准备阶段，升温速率相对比较缓慢；

第二阶段是可控的快速升温阶段，升温速率一般控制在100~500(℃min-1)；

第三阶段是升温的缓冲阶段，该阶段温度缓慢升至烧结温度，保温时间一般是1~7分钟，保温后随炉冷却，冷却速率可达300℃min-1。

压力

压力对烧结的影响主要表现为素坯成型压力和烧结时的外压力。从烧结和固相反应机理容易理解，压力越大，样品中颗粒堆积就越紧密，相互的接触点和接触面积增大烧结被加速。这样能使样品得到更好的致密度，并能有效的抑制晶粒长大和降低烧结温度。因此选择的压力一般为30~50Mpa（实验允许的最大值）。不过有研究表明，当烧结时外压力为30Mpa和50Mpa时，样品的致密度相差并不大，这说明致密度随压力增大的现象仅在一定范围内较为明显。 

以上说明，烧结温度、保温时间、升温速率构成了影响烧结体微观组织的主要因素。其中烧结温度和保温时间对烧结体微观组织影响最为显著，升温速率次之，烧结过程中压力对样品的微观组织的影响最小。

总结与展望

放电等离子烧结（sps）是新一代温度时间短的先进快速烧结法，sps的推广应用会为新材料的研究和生产发挥重要作用，可用来制备金属、陶瓷、纳米材料、非晶材料、复合材料、梯度材料等。

Sps的基础理论目前尚不清楚，需要进行大量的时间与理论研究来进行完善；sps需要增加设备的多功能性和脉冲电流的容量，一边做更大尺寸的产品；特别需要发展自动化sps生产系统未能够生产复杂和高性能的产品以及三位梯度的复杂产品做准备。

对于事件发展生产来说，需要发展适合sps生产的粉末冶金材料；也需要研制目前使用的比石墨模具强度高、重复性使用率高的新型模具，以提高模具的承载能力和降低模具的费用。

在工艺方面，需要建立模具温度和工件实际温度的温差关系，以便更好地控制产品的质量。

在sps的性能测试方面，需要建立与之相适应的标准和方法。

参考文献：

张东明，傅正义，放电等离子体烧结（SPS）技术特点和应用.武汉工业大学学报.1999(12):15-17

李纹霞，鲁燕萍等，等离子体烧结与等离子体活化烧结.真空电子技术.1998,(1)；17-23

彭金辉, 张利波, 张世敏. 等离子活化烧结技术新进展[J ] . 云南冶金, 2000 ,29 (3) :42 - 44.

张利波, 彭金辉, 张世敏. 等离子体活化烧结在材料制备中的新应用[J ] . 稀有金属,2000 ,6 (24) : 445 -499下载本文