内存也叫主存，是PC系统存放数据与指令的半导体存储器单元，也叫主存储器（Main Memory），通常分为只读存储器（ROM-Read Only Memory）、随机存储器（RAM-Red Access Memory）和高速缓存存储器（Cache）。我们平常所指的内存条其实就是RAM，其主要的作用是存放各种输入、输出数据和中间计算结果，以及与外部存储器交换信息时做缓冲之用。

　　内存经过了EDO、SDRAM的发展，现在已经进入DDR的时代。下面就以主流的DDR内存来介绍内存的物理结构。

三星PC3200 256DDR内存条的正面

背面

　　上图是三星的DDR内存条的正面以及背面，代表当今主流的内存条－PC3200DDR。下面以一条品牌为Infineon(英飞菱)的内存条为例讲述内存条的结构。

Infineon 256DDR

　　1、PCB板

　　内存条的PCB板多数都是绿色的。如今的电路板设计都很精密，所以都采用了多层设计，例如4层或6层等，所以PCB板实际上是分层的，其内部也有金属的布线。理论上6层PCB板比4层PCB板的电气性能要好，性能也较稳定，所以名牌内存多采用6层PCB板制造。因为PCB板制造严密，所以从肉眼上较难分辩PCB板是4层或6层，只能借助一些印在PCB板上的符号或标识来断定。另外和PCB联系紧密的名词就是封装了。上图是Infineon原装256MB DDR266，采用单面8颗粒TSOP封装。

　　2、金手指

　　这一根根黄色的接触点是内存与主板内存槽接触的部分，数据就是靠它们来传输的，通常称为金手指。金手指是铜质导线，使用时间长就可能有氧化的现象，会影响内存的正常工作，易发生无法开机的故障，所以可以隔一年左右时间用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。

　　3、内存芯片

　　内存的芯片就是内存的灵魂所在，内存的性能、速度、容量都是由内存芯片组成的。如今我们市场上有许多种类的内存，但内存颗粒的型号并不多，常见的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、Apacer等等。不同厂商的内存颗粒在速度、性能上也有很多不同。

　　使用Infineon原厂芯片，Infineon原厂并没有－75的DRAM芯片，所以使用了默认143MHz的-7芯片，为用户预留了一定的超频空间。 

　　4、内存颗粒空位

　　在内存条上你可能常看到这样的空位，这是因为采用的封装模式预留了一片内存芯片为其他采用这种封装模式的内存条使用。这块内存条就是使用9片装PCB，预留ECC校验模块位置。

　　5、电容

　　PCB板上必不可少的电子元件就是电容和电阻了，这是为了提高电气性能的需要。电容采用贴片式电容，因为内存条的体积较小，不可能使用直立式电容，但这种贴片式电容性能一点不差，它为提高内存条的稳定性起了很大作用。

从光滑的PCB边缘以及DRAM芯片周围的整齐划一的电阻电容可见出色的做工

6、电阻

　　电阻也是采用贴片式设计，一般好的内存条电阻的分布规划也很整齐合理。

　　7、内存固定卡缺口：内存插到主板上后，主板上的内存插槽会有两个夹子牢固的扣住内存，这个缺口便是用于固定内存用的。

　　8、内存脚缺口

　　内存的脚上的缺口一是用来防止内存插反的（只有一侧有），二是用来区分不同的内存，以前的SDRAM内存条是有两个缺口的，而DDR则只有一个缺口，不能混插。

　　9、SPD

　　SPD是一个八脚的小芯片，它实际上是一个EEPROM可擦写存贮器，这的容量有256字节，可以写入一点信息，这信息中就可以包括内存的标准工作状态、速度、响应时间等，以协调计算机系统更好的工作。从PC100时代开始，PC100规准中就规定符合PC100标准的内存条必须安装SPD，而且主板也可以从SPD中读取到内存的信息，并按SPD的规定来使内存获得最佳的工作环境。

　　另外内存条上一般还有芯片标志，通常包括厂商名称、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等内耳，其中还可能有电压、容量系数和一些厂商的特殊标识在里面。芯片标志是观察内存条性能参数的重要依据。

　　从这条内存条的标志我们可以得到以下的信息：容量256MB，DDR内存；频率及时脉参数: 133MHz，2-3-3。

内存作为传统电脑三大配件之一，虽然外表其貌不扬，而且体积小巧轻薄，但作用却非常重要。内存可以说是CPU处理数据的“大仓库”，所有经过CPU处理的指令和数据都要经过内存传递到电脑其他配件上，因此内存做工的好坏，直接影响到系统的稳定性。

海盗船4GB DDR2-1066内存套装标签

　　由于内存在标签上并没有具体统一的格式，所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须有的信息为容量（2048MB）、频率（1066MHz）、延迟（5-6-6-18）、电压（2.10V）等信息，这些也都是最基本的参数。

    ● 内存延迟

    内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。

　　上图我们看到这款海盗船内存频率为1066MHz，延迟为“5-6-6-18”，它们代表的意义从左往右分别是：

　　CAS Latency，即列地址选通脉冲时间延迟，我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。

　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），对应于CAS，RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS（数据请求后首先被激发）和CAS（RAS完成后被激发）并不是连续的，存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。

　　Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间，即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

　　Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。下载本文