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硅片等级分类及标准
2025-09-25 17:39:09 责编:小OO
文档
硅片等级分类及标准(150×150)

一、优等品(Ⅰ类片)

1、物理、化学特性

型号:P      晶向〈100〉±1°;

  氧含量: ≤1.0×1018at/cm3;

  碳含量: ≤5×1016at/cm3;

  少子寿命:τ=1.3-3.0μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据);

  电阻率: 0.9-1.2、1.2-3.0、3.0-6.0Ω·cm;

  位错密度:≤3000个/cm2;

2、几何尺寸

  边长:125×125±0.5mm;

  对角:150×150±0.5mm;

  同心度:任意两弧的弦长之差≤1mm;

  垂直度:任意两边的夹角90°±0.3°;

  厚度:200±20μm; (中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm)

          180±20μm; (中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)

  TTV:≤30μm;

弯曲度:≤40μm;

3、表面指标

线痕:无可视线痕;

  目视表面:无沾污、无水渍、染色、白斑、指印等;

  无崩边、无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲;

二、合格品(Ⅱ类片)

1、物理化学特性

型号:P      晶向〈100〉±1°;

氧含量: ≤1.0×1018at/cm3;

碳含量: ≤5×1016at/cm3;

少子寿命:τ=1.0-1.2μs(在测试电压≥20mv下裸片的数据);

电阻率:0.5-0.8Ω·cm;

位错密度:≤3000个/cm2;

2、几何尺寸

  边长:125×125±0.5mm;

对角:150×150±0.5mm;

  同心度:任意两弧的弦长之差≤1.5mm;

垂直度:任意两边的夹角90°±0.3°;

  厚度:200±20μm;(中心点厚度≥195μm,边缘四点厚度≥180 μm)

180±20μm;(中心点厚度≥175μm,边缘四点厚度≥160 μm)

TTV:≤30μm;

弯曲度:≤40μm;

3、表面指标

   线痕:无明显线痕、触摸无凹凸感。

   崩边范围:崩边口不是“V”型、长×深≤1×0.5mm,个数≤1个/片;无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲;

三、等外品(Ⅲ类片)

1、物理、化学特性

  型号:PN      晶向〈100〉±3°;

  氧含量: ≤1.0×1018at/cm3;

  碳含量: ≤5×1016at/cm3;

  少子寿命:τ<1.0μs(在测试电压≥20m下裸片的数据);         

电阻率: ≤0.5Ω·cm;

位错密度:>3000个/cm2;   

2、几何尺寸

边长:125×125±1.0mm;

对角:150×150±1.0mm;

同心度:任意两弧的弦长之差≤1.5mm;

垂直度:任意两边的夹角90°±0.5°;

厚度:<160μm

3、表面指标

  有明显线痕、触摸有凹凸感。

说明:只要满足第三条“等外品(Ⅲ类片)”的任意一项就判为不合格品。

品 管 部

2008年11月11日下载本文

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