LIN 反相

HVIC 内置逻辑保护 HVIC 内置死区时间

分立的三相直流负端，可用于逆变器的电流检测 输入接口兼容3.3V/5V CMOS/LSTTL 逻辑电平

所有输入引脚都有CMOS 施密特触发器，提高抗噪声能力 应用领域：无刷电机 封装形式：DIP8

外部应用框图

管脚信息

4

5

362

7VH 18VB COM

VL

VS HIN VCC TOP VIEW

在干燥季节或者干燥使用环境内，容易产生大量静电，静电放电可能会损坏集成电路，天微电子

建议采取一切适当的集成电路预防处理措施，如果不正当的操作和焊接，可能会造成ESD 损坏或 者性能下降，芯片无法正常工作。

V B高压侧浮动电压 -0.3 550

V S高压侧浮动电源参考点 V B - 22 V B + 0.3

V CC低压侧电源电压 -0.3 17

V IN逻辑输入电压 -0.3 V CC + 0.3

V

dV S/dt V S引脚所能允许的电压变化率 - 50 V/nS Rth JC结到壳体的热阻 DIP - 9.3 ℃/W T J结温 - 150

T S储存温度 -55 150

T L引脚温度（焊接，10 S） - 300

℃

（1）以上表中这些等级，芯片在长时间使用条件下，可能造成器件永久性伤害，降低器件的可靠性。我们不

建议在其它任何条件下，芯片超过这些极限参数工作。

（2）所有电压值均相对于系统地测试。

推荐工作条件范围

数值

符号 描述 工作条件

最小值典型值 最大值

单位

V CC控制电源电压 施加在V CC和COM之间 10 15 17 V V PN电源电压 施加在VH和VL - 300 500 V V BS上桥偏置电压 施加在V B和V S 之间 10 15 17 V VIH 输入高电平 施加在输入脚和地之间 3 - V CC V VIL 输入低电平 施加在输入脚和地之间 0 - 0.8 V

DT 防止桥臂直通的死区时间 V CC=V BS=10~17V,

T J≤150℃

1.0 - - μS

T A环境温度 - -40 - 125 ℃

f PWM PWM输入信号的频率 T J≤150℃ - 15 - kHz

电气参数

HVIC参数（指单个HVIC的参数，除非另有说明）

BVDSS 漏源击穿电压 600 - - VGS = 0V, ID = 250μA IDSS 漏源饱和电流 - - 10 μA VDS = 600V, VGS = 0V +IGSS GS驱动电流 - - 100 nA VGS = +30V, VDS = 0V -IGSS GS驱动电流 - - -100 nA VGS = -30V, VDS = 0V Vth 阈值电压 2.0 - 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA RDS(on)1 漏源导通电阻 - 3.8 5 Ω VGS = 6.5V, ID = 2.25A VSD二极管正向电压 - - 1.4 V VDS = 0V, ID = 2.0A

真值表

5

6LIN

COM

4VL

5

VS 678C1

EC2CBB1

R1R1sample

For 3-phase current sensing and protection

HIN

LIN

HO

LO

图1：HVIC 输入输出时序图

HIN

LO

50%

50%

HIN LIN

图2：HVIC 死区时间定义

图3：HVIC 开关时间定义

Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 3.710 4.310 0.146 0.170

A1 0.510 0.020 A2 3.200 3.600 0.126 0.142 B 0.380 0.570 0.015

0.022 B1 1.524(BSC)

0.060(BSC) C 0.204 0.360 0.008 0.014 D 9.000 9.400 0.354 0.370 E 6.200 6.600 0.244 0.260 E1 7.320 7.920 0.288

0.312 e 2.540(BSC)

0.100(BSC) L 3.000 3.600 0.118 0.142 E2

8.400

9.000

0.331

0.354

All specs and applications shown above subject to change without prior notice.

(以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正，恕不另行通知)下载本文