在电子学中，热电压是一个至关重要的概念，它指的是由于电路中两点间存在温差而产生的电位差，也被称为温度的电压当量。其数学表达式为VT=kT/q，其中k代表玻耳兹曼常数（约为1.38×10^-23J/K），T表示绝对温度（以开尔文为单位），q则是电子的电荷量（约为1.6×10^-19C）。这个公式表明，随着温度的升高，热电压也会相应增加，呈现出正的温度系数。
在三极管中，BE结电压VBE通常具有负的温度系数，这与VT形成对比。通过调整这两个电压，可以在特定温度下实现一个温度系数为零的基准电压，这对于电路设计具有重要意义。例如，在研究二极管和三极管时，热电压VT等于扩散系数Dp与迁移率μp（对于正电荷）或Dn与μn（对于负电荷）的比值，反映了载流子在半导体中的运动特性。
具体到实际温度，如在室温27摄氏度（约300K）时，热电压UT大约为26毫伏（mV）。这个电压的大小不仅与温度紧密相关，而且直接反映了半导体材料中载流子运动的难易程度，对于理解和控制电路性能具有不可忽视的作用。
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