HBM存储芯片是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，专为需要高存储器带宽的应用场合设计，如图形处理器、网络交换设备等。HBM通过将多个DDR芯片堆叠在一起并与GPU封装在一起，形成大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM堆栈不是通过物理方式与CPU或GPU集成，而是通过中介层（Interposer）紧凑而快速地连接，这种设计几乎提供了与芯片集成的RAM存储器相同的特性，因此具有更高的速度和带宽。HBM技术还采用了TSV（硅通孔）技术，实现信号的纵向连接，进一步提高性能和降低能耗。HBM存储芯片广泛应用于高性能计算、图形处理、人工智能和数据中心等领域。
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