1. TFT器件主要采用a-Si（非晶硅）和p-Si（多晶硅）两种材料。
2. p-Si目前处于起步和发展阶段，而a-Si则应用广泛。
3. TFT器件在工作时扮演着电压控制的开关角色。
4. 无电压施加于栅极G时，TFT器件处于截止状态，源极S与漏极D断开。
5. 此时，栅极G与源极S（或漏极D）之间的电阻称为关断电阻ROFF，其值通常非常高，超过10^7Ω。
6. 栅极G施加正电压且超过导通电压时，TFT器件导通，源极S与漏极D连接。
7. 此时，源极S与漏极D之间的电阻称为导通电阻RON，它随栅极电压增加而减小。
8. TFT器件的源极S和漏极D具有相同特性，位置可以互换。
9. 电流方向由源极S和漏极D之间的电场方向决定。
10. 源极S和漏极D是TFT器件应用电路中定义的端点，通常输入信号端称为源极S，输出信号端称为漏极D。
11. 在TFT液晶显示屏中，数据驱动器端连接到源极S，像素端连接到漏极D。
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