宽禁带半导体也被称为第三代半导体。第三代宽禁带半导体，主要包括碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝等。优点是禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、抗辐射能力强、发光效率高、频率高，可用于于高温、高频、抗辐射及大功率器件，也是目前国家大力发展的新型半导体器件。半导体材料的禁带宽度在一定程度上都会影响甚至决定了半导体的电场强度、电子迁移率、热导率和熔点，禁带宽度单位为电子伏特，是能量单位，1eV代表一个电子经过1伏特的电位差加速后所获得的动能，电子伏特与SI制的能量单位焦耳，半导体价带中被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，电子从价带顶到达导带底所需要的这个能量就是禁带宽度Eg。
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