1、发生的位置不同：雪崩击穿主要发生在高电场强度下，而齐纳击穿则发生在低电场强度下。
2、产生的机理不同：雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的，而齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。雪崩击穿是材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴对。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。
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