在电磁炉功率管的更换中，H20R1203常常可以被IGBT管FGA25N120替代。然而，选择代换品时，不仅需要考虑电流和反向电压，饱和压降和频率响应也是关键的性能指标。尽管H20R1203在这两个参数上稍占优势，但差异相对较小。
通常情况下，如果FGA25N120是正品，它能作为H20R1203的合格替代品。FGA25N120是一种内建阻尼管的场效应管，具备三个电极，包括栅极G、集电极C和发射极E。IGBT的结构中，正向电压由J2结承受，反向电压则由J1结承受，N+缓冲区的存在会反向关断电压，影响其应用范围。
IGBT的转移特性表现为漏极电流Id与栅源电压Ugs的关系，当栅源电压低于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在大部分漏极电流范围内，电流与电压是线性相关的，最佳栅源电压一般控制在15V左右。此外，开关特性包括开关速度和损耗，是衡量IGBT性能的重要方面。
IGBT的开关特性涉及漏极电流和漏源电压的关系，尽管其PNP晶体管的B值低，但MOSFET部分的电流是其总电流的主要部分。总的来说，尽管H20R1203和FGA25N120在某些参数上有区别，但选择FGA25N120作为替换品在许多情况下是可行的。
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