sram存储器是指静态随机存储器。
SRAM是一种随机存储器，只要保持通电，里面的数据就可以一直保存。SRAM的版图具有高度的规律性，同样他的设计规则也是整个制程中最严格的。
所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失，这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
所以SRAM的良率以及SRAM的尺寸大小反映了一个Foundry的制程能力。所以在Foundry中也通过SRAM的良率以及性能的变化来反馈制程的问题所在。
SRAM的基本电路结构以及基本的读写过程：
最小的SRAM单元我们称为一个bit，他只能存储一个信号0或者1，这样的一个bit由6个晶体管构成，分为2个PMOS（PU），4个NMOS（PD，PG），这里PU和PD形成一个反相器，两个反相器形成互锁结构，通过这样的特性来实现数据的保存。
PU（pull up）也称为load transistor，他的功能是实现节点的高电位也就是1的状态，PD（pull down）也称为drive transistor，他的功能是实现节点的低电位也就是0的状态。
这样一个bit中的两个节点（SNL和SNR）高低电位互换，就能实现0和1两种状态的存储，PG（pass gate）也称为access transistor，他的功能是实现bitline 的接入，以实现读写功能。
以上内容参考：百度百科-SRAM
