发布: 2010-3-21 11:11 |  作者: pcb_dz |   来源: 网络 |  查看: 40次

概述 

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x7a_l0　　场效应晶体管：英文名称为Field Effect Transistor，缩写为FET，简称场效应管。

_G L"L_?_J0　　各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道，就是电流通道。

(}'{0L:W3p_p6O0　　半导体的场效应，是在半导体表面的垂直方向上加一电场时，电子和空穴在表面电场作用下发生运动，半导体表面载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变，即改变为加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。 

+b2R_R_F_j1?0　　场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：电子爱好者社区8lR_l5i&H

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　　（1）输入阻抗高；电子爱好者社区_b9m G_Iy_t%w_K

　　（2）输入功耗小；

+K,U'F.`_u_i'j5V8|0　　（3）温度稳定性好；

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b_@!o_a_w6]0　　（4）信号放大稳定性好，信号失真小；电子爱好者社区 z)L_H_h_P P_~

　　（5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。电子爱好者社区_q1v_^$j0n_B

　　根据构造和工艺的不同，场效应管分为结型和绝缘型两大类。电子爱好者社区"o'X_K_f.K_e___[

1G_I_\\_G$deS_]0　　结型场效应管电子爱好者社区_S5E3X6p4M3c_T_d

　　图十一(a)是结型场效应管的结构示意图。

;d$[_M/m_E_O1}%D0　　图十一(b)是N型导电沟道结型场效应管的电路符号。

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　　在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两个P区连起来，就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D，从两个P区引出的电极叫栅极G，很薄的N区称为导电沟道。电子爱好者社区_B_`9@#|(Q_QK0Y'p-Y

电子爱好者社区*o_y_g6`5K_V&H/t 

　　绝缘栅型场效应管

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_Y'}_f/o7l_~ J+p_w0　　绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种，我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管，在正常情况下断开的称增强型效应管。增强型场效应管特点：当Vgs = 0时Id(漏极电流) = 0，只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通，有漏极电流产生。并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压。 　　耗尽型场效应管的特点，它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作，而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻)。电子爱好者社区_S_q%@_}_K_e%I

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　　结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管，但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型 栅场效应管代替。   

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