125×125准方单晶硅片技术参数表
| Item（项目） | Specification（规格） | Unit（单位） | Remarks（备注） |
| Material（材料） | Silicon（硅） | ||
| Crystal Growth Method （晶体成长方法） | CZ（直拉法） | ||
| Conductivity Type（传导率） | P type（P型） | ||
| Dopant（搀杂物） | Boron（硼） | ||
| Crystal Orientation （晶体取向） | <100>±3 | Degree（度） | |
| Resistivity（电阻系数） | 0.5~3 | Ω-cm | |
| Life Time（少子寿命） | ≥10 | μS | |
| Oxygen Contents（氧含量） | ≤1x1018 at/cm3 | ||
| Carbon Contents（含碳量） | ≤5.0x1016 at/cm3 | ||
| Diameter（直径） | 150±1 | mm | 附图直径B |
| Length（长度） | 125x125±0.5 | mm | 附图边长A |
| Thickness（厚度） | 240±30 | μm | |
| 四条方边宽度尺寸最大允许差值 | ≤1.5 | mm | 附图边长C |
| Angles（a,b,c,d） （四条边直角度） | 90°±0.3° | Degree（度） | |
| Dislocation（位错密度） | ≤3000 | ea/ cm2 （个/ cm2） | |
| TTV（总厚度变化） | ≤50 | μm | |
| Bow（翘曲度） | ≤70 | μm | |
| 损伤层深度（刀痕） | ≤15 | µm | |
| Quality of surface （表面质量） | 1、硅片表面无通孔和裂纹（拉丝）现象； 2、沿硅片径向长度小于1mm，宽度小于1mm，不超过硅片厚度1/3的崩边，在整片中不允许超过3个； 3、表面无沾污异常斑点，无氧化。 | ||
