9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80

9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90

9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110

8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100

8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140

详情如下：

90系列三极管参数

90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN

集电极-发射极电压 30V

集电极-基电压 50V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.03A

耗散功率 0.4W

结温 150℃

特怔频率 平均 370MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

9012 结构：PNP

集电极-发射极电压 -30V

集电极-基电压 -40V

射极-基极电压 -5V

集电极电流 0.5A

耗散功率 0.625W

结温 150℃

特怔频率 最小 150MHZ

放大倍数：D-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

9013 结构：NPN

集电极-发射极电压 25V

集电极-基电压 45V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.5A

耗散功率 0.625W

结温 150℃

特怔频率 最小 150MHZ

放大倍数：D-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

9014 结构：NPN

集电极-发射极电压 45V

集电极-基电压 50V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.1A

耗散功率 0.4W

结温 150℃

特怔频率 最小 150MHZ

放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000

9015 结构：PNP

集电极-发射极电压 -45V

集电极-基电压 -50V

射极-基极电压 -5V

集电极电流 0.1A

耗散功率 0.45W

结温 150℃

特怔频率 平均 300MHZ

放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000

9016 结构：NPN

集电极-发射极电压 20V

集电极-基电压 30V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.025A

耗散功率 0.4W

结温 150℃

特怔频率 平均 620MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

9018 结构：NPN

集电极-发射极电压 15V

集电极-基电压 30V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.05A

耗散功率 0.4W

结温 150℃

特怔频率 平均 620MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

三极管8550

8550是一种常用的普通三极管。

它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管

集电极-基极电压Vcbo：-40V 

工作温度：-55℃ to +150℃ 

和8050（NPN）相对 

主要用途：

开关应用 

射频放大 

8550参数:Pcm=1W,Icm=1.5A8550是韩国管。主要参数是如下 ： 

集电极反向击穿电压100V 

集电极电流 1A 

可用 2N5551、3DG12等代替,Vceo=25V,ft=100MHz

三极管8050

8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。

8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

图１　8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列

图２　8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列

8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。

8050S 8550S S8050 S8550 参数：

耗散功率0.625W（贴片：0.3W）

集电极电流0.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出

按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档

放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 参数：

耗散功率1W

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ

放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档

放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300

8050SS 8550SS 参数：

耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ

放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档

放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400

引脚排列有EBC ECB两种

SS8050 SS8550 参数：

耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 

集电极电流1.5A

集电极--基极电压40V

集电极--发射极击穿电压25V

特征频率fT 最小100MHZ

放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档

放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300

引脚排列多为EBC

UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC

8050S 8550S 引脚排列有ECB

这种管子很少见

参数：

耗散功率1W

集电极电流0.7A

集电极--基极电压30V

集电极--发射极击穿电压20V

特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出

放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档

C：120-200 D：160-300 E：280-400

NEC的8050

最大集电极电流(A):0.5 A; 

直流电增益:10 to 60; 

功耗:625 mW; 

最大集电极-发射极电压（VCEO）:25; 

频率:150 MHz .

其它的8050

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。

通用9011～9018、8050、8550三极管的主要参数