一、实验目的:
1、掌握随机存储器RAM的工作特性及使用方法；
2、掌握半导体存储器存储和读写数据的工作原理。
二、实验电路及其原理：
1．实验电路图
2、设计原理
存储器就是选择RAM地址，并对其操作存入数据，在需要时对其读取，并把数据输出到数据总线。实验思路大致为：
①第一个74273用来接收数据存放在RAM里的地址，即A0…7。当CPMAR有效时数据进入芯片。
②当WE=1,RD=0时，RAM进行写操作，接收存储在74273里的数传到地址端口，同时接收从B0…7输入的数据传到数据端口，把数据写到相应RAM里。
③当WE=0。RD=1时，RAM进行读操作，把对应存储单元的数据传到第二个74273，通过74273传到74244芯片输出。
三、实验步骤
1、根据实验原理在maxplus下连接电路图，对其进行编译。
2、根据实验原理设计各个输入端的波形图，对其进行仿真模拟获得输出数据，仿真波形如下图。
四、仿真图
说明：RAM在WRE=1时才工作，为方便起见WRE置为1；74244在RAM_BUS=0时工作，为方便起见RAM_BUS置为0。因CPMOR为一个周期变换一次，为了不浪费存储空间，A0为两倍的周期变换，A1为四周期变换，以此类推。存储的数据从11H起依次增加。
五、实验总结
通过本次实验熟练掌握MAX+PLUS软件，并运用该软件设计存储器，了解了存储器的结构设计和工作原理，并在理解的基础上自己设计了一个简单的存储器。在之后的波形仿真图模拟时，发现自己不能很好控制各个芯片的片选信号，不知道如何使各个芯片在合适的时间工作，在经过仔细分析后，设置了上图的波形图，保证每个存储单元都可以存到数，没有刚开始的浪费现象，数据在各个数据线之间的传输也正常，存储器的数据输出为两个周期输出一次（这是因为WR、RD为一个周期变换一次，在两个周期后才会读有效）。
通过此次实验对MAXPLUS有了初步了解，同时也对存储器的结构有了一定的了解，初步掌握了一些设置波形的技巧。下载本文
