一、定義：由兩金屬極板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的元件稱為電容器。

二、代號：“C”

三、單位：法拉(F) 微法(uF) 納法(nF) 皮法(pF)

1F=106 uF =109nF=1012 pF

四、特性：通交流、阻直流

因電容由兩金屬片構成，中間有絕緣物，直流電無法流過電容，但通上交流電時，由於電容能充放電所致，所以能通上交流

五、作用：濾波、耦合交變信號、旁路等

六、電容的串聯、並聯計算

1.串聯電路中，總容量=1÷各電容容量倒數之和

2.並聯電路中，總容量=各電容容量之和

七、電容的標示：

1.直標法：直接表示容量、單位元、工作電壓等。如1uF/50V

2.代表法：用數位、字母、符號表示容量、單位元、工作電壓等

如：  104Z         “104”表示容量為“100000pF”

“Z”表示容量誤差“+80% -20%”

“     ”表示工作電壓“50V”

八、電容的分類

1.按介質分四大類

1).有機介質電容器(極性介質與非極性介質，一般有真合介質、漆膜介質等)

2).無機介質電容器(雲母電容器、陶瓷電容器、波璃釉電容器)

3).電解電容器(以電化學方式形式氧化膜作介質，如鋁Al2O3鉭Ta2O5)

4).氣體介質電容器(真空、空氣、充氣、氣膜複合)

2.按結構分四大類

1).固定電容器      2).可變電容器      3).微調電容器(半可變電容器)      4).電解電容器

3.按用途分

1).按電壓分低壓電容器、高壓電容器

2).按使用頻率分低頻電容器(50周/秒或60周/秒)和高頻電容器(100K周/秒)

3).按電路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干擾(X2)、儲能、溫度補償等

電解電容(E/C)

1、概述

電解電容的構造是由陽箔、陰箔、電解紙、電解液之結合而成的，陽箔經化成後含有一高介電常數三氧化鋁膜(Al2O3)，此氧化膜當作陽箔與陰箔間的絕緣層，氧化膜的厚度即為箔間之距離(d)，此厚度可由化成來加以控制，由於氧化膜的介電常數高且厚度薄，故電解電容器的容量較其它電容高。電解電容的實值陽極是氧化膜接觸之電解液，而陰箔只是將電流傳屋電解液而已，電解紙是用來幫助電解液及避免陽箔、陰箔直接接觸因磨擦而使氧化膜磨損。

即電解電容器是高純度之鋁金屬為陽極，以陽極氧化所開氧化膜作為電介質，以液體電解液為電解質，另與陰極鋁箔所構成之電容器。

2、基本結構：套管、鋁殼、膠水或膠帶、電解紙、電解液、陽極箔、陰極箔、鋁端子、封口橡膠蓋。

3、特點：容量大、體積大、有極性。

4、用途：它且有極性，一般用於直流電路中作濾波、整流。

5、工作電壓：6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、160V、200V、300V、400V

工作溫度：6.3V～100V(-40℃～+105℃)；100V 以上(-40℃～+85℃)

6、電氣測試的四大參數：

1.靜電容量(CAP)：電容器是用來儲存電荷的元件，電容器所能儲存電荷之能力，稱之為電容器的容量。

計算公式：C= εKS／1.8πd

式中：  C表示容量；   S表示金屬片面積；   K表示腐蝕係數；

d表示介質厚度(兩金屬片距離)；ε表示介電係數

從公式可以看出：C與S成正比；C與d成反比。

測試條件：120HZ  0.25V  25℃ 單位“uF”或“F”“nF”

2.損失角(DF)：電容器在電場作用下，單位時間內因發熱而消耗的能量稱之為DF。

測試條件：120HZ   0.25V   25℃  一般用“%”表示

3.洩漏電流(LC)：陽箔化成膜如不遭破壞，則陽極與陰極間應沒有電流流過，而在實際生產中化成膜並非十分完整，常會受到輕微的污染、磨損，致使兩極間有一少許電流流通，此電流叫洩漏電流。

計算公式：6.3V～160V 容量*電壓*0.01 (單位uA) 

160V以上容量*電壓*0.03(不足3uA計算)

測試條件：加電壓達到工作電壓，充電1分鐘，20℃環境

4.等效串聯電阻(LOW ESR)：任何物體都存在一定的電阻

計算公式：ESR=DF/2πfc

公式中：ESR單位為Ω；f表示頻率(100KHZ)；C表示容量(F)

測試條件：100KHZ  0.25V

7、電解電容的製作流程及流程中應注意事項

鋁原箔電蝕

鋁原箔

陽極箔使用厚度約50～100mm，純度99.99%以上，陽極箔厚度約20～60mm，純度99.80%以上(原箔不純物含量過多時，氧化膜將產生缺陷，此缺陷會導致洩漏電流增大，而減低電容器之使用壽命)

陽極箔化成

電蝕的目的在於增加鋁原箔之有效面積，以增加其單位元面積容量，方式有：化學式、直流電解式、交流電解式、直流交流複合電解式

陽極電蝕鋁箔置於化成液中，利用電氣化學原理使陽極電蝕鋁箔表面生成氣化膜，此過程稱為化成。氧化膜厚度決定電容器兩極板間距離，故控制化成條件，可竿所容量，方式有：定電壓化成法及定電流上升定電壓化成法。

硼酸化成液(適用于高電壓化成)

化成液可分    磷酸系化成液(適用於150V以下之低電壓化成)

乙二酸系化成液(適用於低電壓化成)

氧化膜厚度與化成電壓成正比，單位元面積電容量(化成電壓成反比)

裁切

不可有毛邊(即毛刺)，會刺穿電解紙，發生短路或接觸不良現象

鉚釘

釘拉之鉚釘花瓣應整齊規則，壓緊應緊密，使鋁箔與端子線間之阻抗(釘接阻抗)降至最低為理想，如釘接不良，會產生電容器之接觸不良，DF值過大等嚴重不良後果(釘接阻抗需在0.5mΩ以下)

捲繞

陽極箔與陰極箔中間夾入寬度比鋁箔稍寬之隔離紙，將其捲繞在一起，再於末端以膠水或膠帶粘住，即成電容器素子，隔離紙即電解紙，主要防止陽極箔與陰極箔直接接觸，同時可吸收電解液，捲繞時陰極箔需完全包住陽極箔，因此陰極箔必在陽極箔之外層，卷取時應緊密，正、負極箔寬度應重重迭整齊，卷不可過大，卷釘應愈小愈好，否則會產生DF值偏大，CAP變小和不穩定等嚴重不良影響

含浸

電容器素子需保持適當而充分電解液量。含浸在製造過程中有很重要的地位，其作業不良直接影響容量、DF、LC、壽命試驗等特性(含浸前素子先乾燥)

組立

老化(二級化成)

含浸好的素子與經洗滌之橡膠蓋，鋁殼組合，每利用封口機將鋁殼密封，以防止電解液漏出或水份蒸發，造成素子乾燥，密封完成之電容器再套入熱收縮膠膜套管即成製品

分為常溫老化與高溫老化

檢查入庫

外觀、靜電容量、損失角、洩漏電流、等效串聯電阻

陶瓷電容(C/C)

1、構造：在磁質電體及銀電極所構成之素子電極上焊接導線而成，以銀面為兩極，以銀片為兩極，以陶瓷為介質，以鍍錫銅線為引線，用絕緣塗料包封(主要材料為瓷片，絕緣塗料一般為酚醋樹脂)

2、特點：容量小、耐壓高

3、按特性分類可分為四大類

I類：溫度補償類(DCT)               II類：高誘電率類(DCH)                      III類：半導體類(DLS)                IV類：中高壓型(DHK)

4、陶瓷電容的表示：

1.如：Y5P－102/1KV－K

1).“Y5P”是指在使用溫度範圍內它的容量變化率

“Y”：表示溫度範圍為-30℃～+85℃

“5”：表示溫度上限85℃

“P”：表示容量變化率±10%

那麼，“Y5P”就表示在-30℃～+85℃使用溫度範圍內，容量變化率為±10%

A.溫度特性使用範圍及變化率

代號          使用溫度範圍          變化率

Z5V：        +10℃～+85℃         +22%～82%

Z5U：        +10℃～+85℃         +22%～56%

Y5V：        -30℃～+85℃         +22%～82%

Z5V：        -30℃～+85℃         +22%～56%

X7R：        -55℃～+125℃        ±15%MAX(一般為積層電容)

B.SL：        -25℃～+85℃         +350～1000PPM/℃

(此類為溫度補償類，是以靜電容在溫度係數公稱值及此公稱值的容許誤差來表示的。)

2).“102”是指容量：在25℃溫度下所測出的容量，“102”即表示“1000pF”

3).“1KV”指工作電壓：是指規定之溫度範圍條件內能持續加諸於電器而不致產生任何異常現象之最高電壓而言。

4).“K”指容許誤差：標稱容量與實際容量之間有一定差別，這偏差在容許範圍內稱容許誤差，“K”表示“±10%”。另外常用的有“M”表示“±20%”、“Z”表示“+80% -20%”。

5、製作流程：

壓片→烤瓷片→清洗→烘乾→塗銀→烘乾→TEST.C.DF→引腳與瓷片組合→焊錫→塗裝→烘乾→烘烤→列印MARK→TEST.C.DF.耐壓→打臘→包裝入庫

6、我司常用陶瓷電容有常說有一般陶瓷電容、Y電容、積層電容、SMD電容

1.一般陶瓷電容有濕式與幹式兩種

濕式：瓷粉+水  密度低  低壓  顏色為土黃色

幹式：中高壓  耐壓好  顏色為藍色接近Y電容    

幹式陶瓷電容與Y電容的區別：

Y電容本體標示有安規符號；幹式陶瓷電容未標示安規符號。

2.Y電容：即交流陶瓷電容，屬於安規電容。特點是：安全性好(對地跨接過高壓時，對後面線路起保護作用)。

我廠所使用Y電容等級分Y1與Y2等級，區別首先看本體標示，一般Y1電容本體φ徑較Y2本體φ徑大。

3.積層電容：屬陶瓷電容，不同之處：內部結構分層且緊密，目的增大容量，溫度特性為“X7R”

4.SMD電容：即為多層陶瓷電容器

1). 多層陶瓷電容器

陶瓷本體：介電陶瓷材料(以鈦酸、氧化鈦等為主)

內電極：以銀／鈀合金或鎳為主(配合陶瓷材料)

外電極：以銀或銅為主(最外電鍍、鎳／錫以利SMT焊接)

2). 最常用尺寸有0805、1206，此為英制單位，即指產品的長與寬：0805表示長為0.08英寸即2mm，寬為0.05英寸即為1.2mm；1206表示長為0.12英寸即3.2mm，寬為0.06英寸即1.6mm。

3). 溫度特性與其它陶瓷電容相同，一般有“X7R” 、“Y5V” 、“NPO”、“Z5U”等。

NPO屬溫度補償類，為COG一般常用之稱呼，其意義為N表負、P表正、D表零，表示此電容器在使用溫度範圍中，其電容變化量很小，幾乎為零。

塑膠薄膜電容(Plastic Film Capacitor)

1、定義：以塑膠薄膜(PE)為電介質，而使用金屬箔(Al.Sn)作為電極，用Cu或Cp線作引線，將其重迭後捲繞所製成無極性有機薄膜電容器，稱為塑膠薄膜電容器

2、特點：

1.容量範圍廣、體積小、重量輕、自愈性好、壽命長

自愈性：是指金屬薄膜之電極的極小部分，因電介質脆弱或有針孔遇有瞬間高壓而引起短路時，其引起短路部份之周圍的電極金屬會因當時電容器所帶的靜電能量或短路電流產生熱量而使電極金屬蒸發，此溫度不足以破壞電介質，因而恢復絕緣，使其再度回復電容器的作用。

2.適用於直流和VHF級信號的隔直流彎路和藕合

3.廣泛應用於濾波、降噪、低動脈電路

3、分類：

1.按導體厚度不同分：一般塑膠電容器與金屬薄膜電容器

A.塑膠薄膜電容與金屬薄膜電容器所使用的電介質是相同的，唯一不同的是導體的厚度及加工方法，前者是由塑膠薄膜加鋁箔繞卷或層迭而成，後者是在塑膠薄膜的表面用真空蒸鍍或合金鋅成為金屬薄膜材料，再加工繞卷或層迭而成。

B.金屬薄膜電容器的導體厚度皆在1um以下，一般導體鋁箔在5um以上

C.優缺點比較：

多屬薄膜材料優點：導體薄，產品體積小，在瞬間高壓時具有自愈性。

缺點：導體薄，加工不易，接觸電阻大

一般薄膜材料優點：導體厚，加工容易，接觸電阻小

缺點：導體厚，產品體積大，電容量大的規格不適用

2.製作結構與外觀構造區分：

A.依製作結捲繞型分

有感型(PSR、PSA、PEI、PPI)

                    無感型(PEN、PPN、MEF、MPC、MPS、MPSA、PPS、PPSA)

迭層型(MEF)

B.依外觀構造分

樹脂浸漬塗裝型(PEI、PEN、PPN、MEF、MPP、MPS、MPSA、PPS、PPSA)

絕緣帶包封型(PET、PPT、MET、MEA、MPT、MPA)

樹脂模塑型(MEMB、MPB、MEB、MKT、MKP)

金屬殼密封型    

無外裝型(PSR、PSA)

4、名稱：塑膠薄膜電容器通常冠以電價質薄膜之名稱而稱之。

例如：Polyethylene Film     聚乙烯薄膜

Polystyrene Film      聚苯乙烯薄膜

Polycarbonate Film    聚碳酸脂薄膜

Polyester  Film       聚乙酯薄膜

Polypropylene  Film   聚丙烯薄膜

5、用途：塑膠薄膜電容器除了使用於電腦監視器、電視機、收音機、音響設備等、消費用機器外，亦廣泛用於舶、航空器、車輛等電子器及測試儀器、工業量計器太空人造衛星用等之用途

6、製作流程及制程中所應注意事項：

捲繞：1.通過控制芯子長度而有效地控制極板有效面積，使之得到一致的容量值

2.選擇高品質的金屬化膜。所謂高品質的金屬化膜即留邊置、厚度一致性好

3.捲繞室內一定要幹凈，溫度應在20±5℃中進行作業

4.捲繞制程極為重要，電容品質的好壞70%取決於捲繞，故應使用高性能的捲繞機設備

熱壓：1.捲繞完的芯子為圓柱型，熱壓是為了使芯子結構定型，增加機械強度，排除內部氣體，提高電容量的穩定性，扁型結構便於整機安裝

2.熱壓制程中應特別注意溫度、壓力、時間

3.溫度太高，介質會變型老化；太低，芯子空氣排不幹凈，定型不好

4.壓力太大，電容量增加過高，介質易受損傷，絕性能下降，甚至壓壞整顆素子，耐電壓太低，壓力太小，容量偏低，氣體不能充分排除：電容量不穩定，耐電壓較低

烘烤：由於塑膠電容器對環境溫度相當敏感(導體受潮會氧化)，因此在封裝前要確保無濕氣滲入，所以必須進行除溫烘烤

包紙：於噴敷兩端面金屬材料前之加工制程，以避免產品側面直接沾附金屬材料。

噴金屬：主要是為了把芯子的極板有效引出，噴塗溫度不能過高，過高會導致芯子兩端薄(噴錫)  膜收縮，會造成虛焊，影響芯子DF值

在此制程中應注意鋅／錫的定期檢查是否合格，確保管控集塵吸入流量，逐批確保噴錫之厚度，均勻度以及金屬顆粒大小。

清除

接線

高頻C、DF測試

整列

噴矽

：去除介質中的導電雜質和半導體雜質，提高電容器的耐壓強度，提高絕緣電阻

：把引線與芯子兩端噴塗金屬焊在一起

焊接時應注意電壓、電流，壓力焊接時間可以控制產品，避免造成虛焊及因芯子端受熱過大而損失角增大

2A235自動接線測試連線機結合清除，接線、測試、上架之制程，在制程管控中應注意焊接電流確認管制，充放電抽測驗證，導線張力測試(從清除到噴矽都屬之)。

粉沬自動含浸連線機

預溫→內漆→預溫→硬化→粉沬(DIP2～3次)→硬化

折架→選別C、DF(高頻)TV、IR→印字→彎切(TP)→包裝   

7、電容器常見的故障因素(即不良狀況及原因)

1.耐電壓故障(耐壓值不良)：

原材料電介質耐壓不良 

設計安全邊距不足

製造時,電介質位移或損傷，導線焊接不當等

回路使用上，溫度頻率、電壓過高導致衰減破壞

2.耐電流故障

電容器的ESR、DF過高

回路使用上溫度、頻率、電流過高導致電容器內部溫升過大耐燒毀

3.DF值過高

導電體材質受損或內阻過大

噴錫面接觸電阻過大，噴錫時溫度過高亦會影響DF值

導線焊接觸電阻過大

回路使用上溫度、頻率過高，導致產品惡化不良

4.容量偏大偏小

捲繞時芯子的長度不足或偏長

熱壓時壓力過大或壓力過小下载本文