ＯｕｔｌｅｅｋｓａｄＦｕｒｏｒｅ
雷红
（上海大学纳米科学与技术研究中心。上海２００４４４）
摘要：化学机械抛光（ＣＭＰ）技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术。抛光后表面的清洗质量直接关系到ＣＭＰ技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点，指出了清洗荆、清洗方式是ＣＭＰ后清洗技术中的关捷要素。综述了ＣＭＰ后清洗技术的发展现状，分析了ＣＭＰ后清洗存在的问题，并对其发展趋势进行了展望。
关键词：化学机械抛光；原子级精度表面；清洗技术
中圈分类号：ＴＮ３０５文献标识码：Ａ文章编号：１００３．３５３Ｘ（２００８）０５－０３６９－０５
ＡｄｖａｎｃｅｓｉｎＰｏｓｔ－ＣＭＰＣｌｅａｎｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ＬｅｉＨｏｎｇ
（ｍＪｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒｏ／Ｎａｎｏ－＆／ｅｎ傀ａｎｄＮａｎｏ－Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｓ＾喇‰毋，ｓＪｌｔｕｔｓ，ｈａ／２００４４４，蕊妇）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｈｅｍｉｃａｌｍｅｃｈａｎｉｃａｌｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（ＣＭＰ）ｉｓｔｈｅｏｎｌｙｈｉｇｈｐｒｅｃｉｓｉｏｎａｎｄｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｆｉｎｉｓｈｉｎｇｍａｃｈｉｎｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｔｏｄａｔｅｆｏｒｓｕｒｆａｃｅｇｌｏｂａｌｐｌａｎａｒｌｚａｔｉｏｎ．Ｐｏｓｔ—ＣＭＰｃｌｅａｎｉｎｇｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅｋｅｙｆａｃｔｏｒｓｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇｔｈｅＣＭＰｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓ．’Ｉｈｅａｄｖａｎｔａｇｅｓａｎｄｄｉｓａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｆｖａｒｉｏｕｓｍｅｃｈａｎｉｃａｌ，ｐｈｙｓｉｃａｌ，ｃｈｅｍｉｃａｌｃｌｅａｎｉｎｇｍｅｔｈｏｄｓ．ａｎｄｐｒｏｃｅｓｓａｒｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ。Ｄｅｔｅｒｇｅｎｔａｎｄｃｌｅａｎｉｎｇｍｅｔｈｏｄ眦ｔｈｅｔｗｏｍａｉｎ
ｅｌｅｍｅｎｔｓｄｕｒｉｎｇｐｏｓｔ·ＣＭＰ
ｃｌｅａｎｉｎｇ．１１１ｅｐｒｏｇｒｅｓｓａｎｄｐｒｏｂｌｅｍｓｏｆｐｏｓｔ－ＣＭＰ
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Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＣＭＰ；ａｔｏｍ－ｓｃａｌｅｐｉｎｉｏｎｓｕｒｆａｃｅ；ｃｌｅ觚ｉＩｌｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙＥＥＡＣＣ：２５５０Ｅ
０引言
目前因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率降低，占次品率的５０％左右，清洗质量的高低已严重影响到先进电子产品的性能、可靠性与稳定性。工艺中ｓｉ片表面吸附的微粒、有机和无机粘污会破坏极薄氧化层的完整性，导致微结构缺陷，引起低击穿、管道击穿、软击穿、漏电流增加以及芯片短路等问题…１。计算机硬盘技术中，随着硬盘存储密度的快速上升，磁头的飞行高度已降低到１０姗以下Ｌ２Ｊ。原子级表面粗糙度（原子直径小于０．３ｎｍ）、无微观缺陷、洁净的高精表面已成为高技术电子产品制造中的共同要求，也是关系其性能的关键因素。
基金项目：国家自然科学基金资助项目（６０７７３０８０）；上海市教委第五期重点学科资助项目（ｊ５０１０２）
Ｍａｙ２００８
目前一般采用ＣＭＰ技术进行片子表面的高精
度全局平坦化。由于抛光后新鲜表面活性高，以及ＣＭＰ抛光液中大量使用高浓度的纳米磨粒（如纳米Ｓｉ０２、纳米ＡＩＯ粒子）、多种化学品等因素，工件表面极易吸附纳米颗粒等污染物，导致ＣＭＰ后清洗极其困难。集成电路技术中，对０．３５ｐｍ及以下的ＣＭＯＳ工艺，要求后清洗提供的片子上０．１２弘ｍ以上附着物不多于５００个／ｍ２，各种金属杂质如Ｆｅ、ｃｕ、ｃｒ等控制在目前分子分析技术的检测极限以下（约为１０１０原子／ｃｍ２）等【３】。下一代计算机垂直存储技术对硬盘基片表面洁净度的具体要
求为：表面残留颗粒（大于２００ｎｍ）不超过１５个／片，表面残留阴离子和阳离子分别不超过１∥片，残留有机物（硅油、胺）小于１ｎｇ／ｃｍ２。并且清洗后不能造成新的损伤与污染物残留。ＣＭＰ后超光滑表面的超精密清洗技术已成为超精密加工技术中急待解决的关键性难题之一。
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雷红：ＣＭＰ后清洗技术的研究进展
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（收稿日期：２００７．１２．０４）
作者简介：
■红（１９鹋一），男，博士，副研究员，主要研
究方向为ＣＭＰ技术。
ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＶｏｔ．３３Ｎｏ．５
３７３
万方数据
CMP后清洗技术的研究进展
作者：雷红， Lei Hong
作者单位：上海大学纳米科学与技术研究中心,上海,200444
刊名：
半导体技术
英文刊名：SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
年，卷(期)：2008,33(5)
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