一、判断题：
1、晶体二极管加一定的正向电压时导通。（ ）
2、晶体二极管加一定的反向电压时导通。（ ）
3、晶体二极管具有单向导电性。（ ）
二、选择题：
1、如果二极管的阳极电位为1.5V，阴极的电位为0.8V，二极管将会（ ）。
A导通 截止 烧坏二极管 无法确定
2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（ ）。
A正偏 反偏 零偏 无法确定
3、半导体二极管加正向电压时，（ ）
A、电流大电阻小 B、电流大电阻大
C电流小电阻小 D、电流小电阻大
三、如右图所示，哪个灯亮？为什么？
练习题2（PN结）
一、判断题：
1、当晶体二极管的PN结导通时，参加导电的是多数载流子。（ ）
2、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。（ ）
3、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。（ ）
4、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。（ ）
5、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。（ ）
6、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。（ ）
7、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ）
二、选择题：
1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（ ）。
A本征半导体 型半导体 型半导体 无法确定
2、（ ）又称为空穴型半导体。
A本征半导体 型半导体 型半导体 无法确定
3、（ ）又称为电子型半导体。
A本征半导体 型半导体 型半导体 无法确定
4、（ ）内部空穴数量多于自由电子数量。
A本征半导体 型半导体 型半导体 无法确定
5、（ ）内部自由电子是多数载流子。
A本征半导体 型半导体 型半导体 无法确定
练习3（二极管的伏安特性）
一、判断题：
1、二极管两端只要加正向电压就一定导通。（ ）
2、晶体二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管呈现电阻很大仍处于截止状态。（ ）
3、晶体二极管的反向电压增加到某一数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向电击穿。（ ）
4、晶体二极管击穿后立即烧毁。（ ）
5、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。（ ）
二、填空题：
1、硅管的截止电压为 ，锗管的截止电压为 。硅管的导通电压为 ，锗管的导通电压是 。
三、选择题：
1、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的区，而且所受的正向电压小于其门槛电压时，二极管相当于（ ）
A小阻值电阻 断开的开关 闭合的开关 不确定
2、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（ ）。
A减小 增大 不变 不确定
3、当硅晶体二极管加上0.4V的正向电压时，该晶体二极管相当于（ ）
A小阻值电阻 断开的开关 闭合的开关 被烧毁
4、如果把二极管的阳极接到1.5V电源的正极，把阴极接到电源的负极，将会（ ）。
A导通 截止 烧坏二极管 无法确定
5、二极管导通时其两端所加的是（ ）电压。
A正向 反向 击穿 门坎
6、当二极管两端正向电压大于（ ）电压时，二极管才能导能。
A门坎 截止 死区 导通
7、二极管两端的反向电压增大时，在达到（ ）电压之前，通过的电流很小。
A门坎 导通 最大 击穿
8、二极管两端的正向电压小于（ ）电压时，二极管仍然处于截止状态。
A门坎 导通 最大 击穿
9、二极管两的反向电压小于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（ ）电流。
A反向饱和 反向击穿 导通 死区
10、二极管两的反向电压大于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（ ）电流。
A反向饱和 反向击穿 导通 死区
练习题4（二极管的测试）
一、判断题：
1、万用表的红表笔接内电源的正极。（ ）
二、选择题：
1、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（ ）挡。
A R×100Ω或R×1kΩ B R×10Ω C R×10kΩ D R×1Ω
2、测试一个正常的二极管，将万用表的红黑表笔分别接二极管的两端，若测得电阻很小，则（ ）表笔所接的是二极管正极。
A红 B黑 C不确定
3、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很小表明（ ）
A二极管正常 B二极管内部短路 C二极管内部断路 D不确定
4、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很大表明（ ）
A二极管正常 B二极管内部短路 C二极管内部断路 D不确定
5、用万用表测试二极管时，若一次测得的电阻值很大，一次测得的电阻值很小表明（ ）
A二极管正常 B二极管内部短路 C二极管内部断路 D不确定
练习题5（二极管的分类、型号和参数）
一、判断题：
1、最大整流电流IFM是二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。（ ）
2、最高反向工作电压VRM是二极管允许承受的反向工作电压平均值。（ ）
3、反向漏电流IR是在规定的反向电压和环境温度下测得的二极管反向电流值。（ ）
4、反向漏电流值越大，二极管单向导电性能越好。（ ）
5、通常标定的最高反向工作电压是反向击穿电压的一半或三分之一。（ ）
6、二极管工作时的正向电流平均值不能超过最大整流电流，否则二极管会被损坏。（ ）
二、选择题：
1、面接触型晶体二极管比较适用于（ ）
A小信号检波 大功率整流 大电流开关 稳压
2、点接触型晶体二极管比较适用于（ ）
A小信号检波 大功率整流 大电流开关 稳压
3、一个二极管上标有“2CW50”字样，该二极管是（ ）材料。
A锗 硅 不确定
4、一个二极管上标有“2CW50”字样，该二极管是什么类型的？（ ）
A普通管 微波管 稳压管 参量管
三、画电路图符号：
普通二极管 稳压二极管 发光二极管 光敏二极管 变容二极管
练习题6（单相半波整流电路）
一、填空题：
1、利用（ ）把单相交流电转换成直流电的电路称为二极管单相整流电路。
2、（ ）的电压和电流称为脉动直流电。
二、选择题：
1、把交流电转换为直流电的过程称为（ ）
A整流 滤波 稳压 以上均不对
2、单相半波整流电路负载两端电压的平均值与变压器二次电压有效值的关系是（ ）
A VL=V2 L=0.45V2 L=0.9V2 L=1.41V2
三、判断题：
1、半波整流二极管允许最大反向电压应大于随的反向峰值电压。（ ）
2、流过半波整流二极管的正向工作电流等于流过负载的电流的一半。（ ）
3、半波整流二极管截止时承受的反向峰值电压是变压器副线圈电压v2的最大值。（ ）
四、画出半波整流电路图。若负载电阻为3kΩ，负载电流为10mA，求：⑴流过二极管的平均电流，⑵电源变压器的二次电压，⑶整流二极管承受的最大反向电压。
练习题7（桥式整流电路）
一、选择题：
1、桥式整流电路负载两端电压的平均值与变压器二次电压有效值的关系是（ ）
A VL=V2 L=0.45V2 L=0.9V2 L=1.41V2
2、单相桥式整流电路中若有一个二极管内部短路，整流电路会出现什么现象？（ ）
A正常工作 负载上只有半波信号 烧毁电路 负载上无电流
3、单相桥式整流电路中若有一个二极管虚焊（断路），整流电路会出现什么现象？（ ）
A正常工作 负载上只有半波信号 烧毁电路 负载上无电流
4、单相桥式整流电路中若有一个二极管内部极性接反了，整流电路会出现什么现象？（ ）
A正常工作 负载上只有半波信号 烧毁电路 负载上无电流
二、判断题：
1、桥式整流电路中每个二极管截止时承受的反向峰值电压是变压器副线圈电压v2的最大值。（ ）
2、流过桥整流二极管的正向工作电流等于流过负载的电流的一半。（ ）
三、画出半波整流电路图。若输出电压为1V，负载电流为5mA，求：⑴流过二极管的平均电流，⑵电源变压器的二次电压，⑶整流二极管承受的最大反向电压。
练习题8（滤波器）
一、选择题：
1、能把脉动直流电中脉动万分滤掉的电路称为（ ）
A整流 滤波 稳压 以上均不对
二、判断题：
1、电容滤波电路中，电容器C的容量越大或负载电阻越大，电容器C放电越慢。（ ）
2、电容滤波电路中，电容器C的容量越大或负载电阻越大，输出的直流电压就越平滑，并越接近V2的峰值。（ ）
3、电容滤波电路适用于负载电流较大并经常变化的场合。（ ）
4、电感滤波器适用于负载电流较小的场合。（ ）
5、电感滤波器中电感器的电感量越大，滤波效果越坏。（ ）
练习题9（硅稳压二极管稳压电路）
一、选择题：
1、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）
A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态
C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态
二、判断题：
1、稳压二极管在反向击穿区两端电压变化量与通过电流变化量之比值叫做动态电阻。（ ）
2、稳压二极管的动态电阻越小稳压性能越好。（ ）
三、画出一个带有硅稳压二极管稳压电路的桥式整流滤波电路，并在电路中标出整流、滤波、稳压和负载四部分。
练习题10（三极管）
一、选择题：
1、关于三极管下列说法中正确的是（ ）
A发射区掺杂浓度较小 基区很薄，掺杂多
C集电区比发射区体积小且掺杂少 以上说法均不对
2、三极管内有（ ）个PN结。
A 1
3、下列是共发射极接法的是（ ）
二、判断题：
1、三极管就是两个PN结的简单组合，它可以用两个二极管代替。（ ）
2、三极管的发射极和集电极可以颠倒使用。（ ）
三、画出NPN型和PNP型三极管的电路图符号。
练习题11（三极管的电流分配）
一、选择题：
1、下列说法错误的是（ ）
A三极管的反向饱和电流ICBO是发射极开路时集电结的反向电流
B三极管的穿透电流ICEO基极开路时，集电极与发射极之间的电流
C ICEO会随温度的升高而增大 CEO越大说明三极管的温度稳定性越好
2、已知三极管的β=100，若IB=10μA，则该管的IC=（ ）（忽略ICEO）
A 10μA
3、已知三极管的β=50，若IB=2mA，则该管的IE=（ ）（忽略ICEO）
A 40μA
二、判断题：
1、当三极管的IB有一个微小变化时，就能引起IC较大的变化。（ ）
2、三极管中电流分配关系是IE= IC+ IB。（ ）
3、一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而变大。（ ）
4、已知某三极管的射极电流IE=1.36mA，集电极电流IC=1.33 mA，则基极电流IB=30μA。（ ）
5、某三极管的IB=10μA时，IC=0.44 mA；当IB=20μA时，IC=0. mA，则它的电流放大系数β=45。（ ）
练习题12（三极管的工作状态）
一、选择题：
1、三极管工作在放大区的条件是（ ）
A发射结加正向电压，集电结加反向电压 发射结和集电结都要加正向电压
C发射结加反向电压，集电结加正向电压 发射结和集电结都要加反向电压
2、三极管工作在饱和区的条件是（ ）
A发射结加正向电压，集电结加反向电压 发射结和集电结都要加正向电压
C发射结加反向电压，集电结加正向电压 发射结和集电结都要加反向电压
3、三极管工作在截止区的条件是（ ）
A发射结加正向电压，集电结加反向电压 发射结和集电结都要加正向电压
C发射结加反向电压，集电结加正向电压 发射结加反向电压或两端电压为零
4、PNP型三极管三只管脚的电位关系为VB＞VC＞VE，则三极管工作在（ ）区。
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
5、PNP型三极管三只管脚的电位关系为VE ＞VB＞VC，则三极管工作在（ ）区。
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
6、PNP型三极管三只管脚的电位关系为VE＜VB＜VC，则三极管工作在（ ）区。
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
7、NPN型三极管三只管脚的电位关系为VB＞VC＞VE，则三极管工作在（ ）区。
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
8、NPN型三极管三只管脚的电位关系为VE ＞VB＞VC，则三极管工作在（ ）区。
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
9、NPN型三极管三只管脚的电位关系为VE＜VB＜VC，则三极管工作在（ ）区。
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
10、三极管的两个PN结都反偏时，三极管处于（ ）状态。
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
11、用万用表测得NPN型三极管各电极对地的电位是VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V则该三极管的工作状态是（ ）
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
12、若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V，VC=-7V，VE=-2V，则该三极管的工作状态是（ ）
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
13、若三极管VBE＞0，VBE＜VCE，则该三极管的工作状态是（ ）
A截止 B放大 C饱和 D无法确定
二、判断题：
1、对于NPN型三极管，当VBE=0时，VBE＞VCE，则该管的工作状态是饱和状态。（ ）
练习题13（三极管的输入和输出特性）
一、选择题
1、硅三极管的饱和压降为（ ）。
A 0.1V
2、锗三极管的饱和压降为（ ）。
A 0.1V
3、当三极管的发射结反偏时，三极管的集电极电流将（ ）
A增大 反向 中断 无法确定
二、判断题
1、三极管的输入特性是当VCE为一定值时，VBE和IC之间的相应数量关系。（ ）
2、三极管的输入特性是当IB为一定值时，VCE和IC之间的相应数量关系。（ ）
3、当三极管处于截止状态时，在IB=0时，IC并不等于零。（ ）
4、当三极管的发射反偏或两端电压为零时，三极管处于截止状态。（ ）
5、三极管处于饱和状态时，三极管的IC随IB的增大而线性增大。（ ）
6、三极管的恒流特性是当IB一定时，IC不随VCE而变化，即IC保持恒定。
练习题14（三极管的参数和测试）
一、选择题
1、用万用电表测度三极管时，应将万用表拨至（ ）挡。
A R×100Ω或R×1kΩ B R×10Ω C R×10kΩ D R×1Ω
2、用万用表的黑表笔接三极管的基极，红表笔分别和另外两个管脚相接，若测得的两个组值都很小，则该三极管为（ ）型三极管。
A NPN 硅 锗
二、判断题
1、集电极电流增大时，三极管的β的值要降低。（ ）
2、三极管的集电极电流IC超过集电极最大允许电流ICM，β的值将要下降到不能允许的程度。（ ）
练习题15
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