一、填空 

二极管

 1．半导体中有  空穴  和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电  性。PN结具有 单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通 ，加反向电压时，PN结  截止  。导通后，硅管的管压降约为  0.7V ，锗管约为 0.2V  。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成  N 型半导体，其多数载流子是  电子   ；若掺入微量的三价元素，则形成  P  型半导体，其多数载流子是 空穴    。

3、PN结的正向接法是P型区接电源的正 极，N型区接电源的负  极。P型半导体中的多数载流子是  空穴  ，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是  空穴   。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大   ，正向压降将  减小  。

5．整流电路是利用二极管的  单向导电  性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的   反向击穿   特性实现稳压的。

8．硅稳压二极管的稳压电路是由   限流电阻   、  硅稳压二极管   与  负载电阻  组成。

6．发光二极管是一种通以  正向   电流就会  发光   的二极管。

7．光电二极管能将 光  信号转变为  电  信号，它工作时需加 反向 偏置电压。

8．半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N 型半导体与 P型半导体。N型半导体主要靠 电子 来导电，P型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正  电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的  扩散  运动，促进少数载流子的  漂移  运动。

10．晶体二极管主要参数是  最大正向电流   与   最高反向电压   。

11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按PN结的结构特点可分为 点接触型  和面接触型     两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。

12、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频  和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率  的场合。

13、2AP系列晶体二极管是  锗 材料做成的，其工作温度较 低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是  硅材料做成的，其工作温度较  高 。

三极管

1．晶体管从结构上可以分成   PNP   和  NPN   两种类型，它工作时有  2  种载流子参与导电。硅管以 NPN  型居多，锗管以 PNP 型居多。

2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏  ，集电结  反偏  。

3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大  、  饱和  、 截止   。

4．当温度升高时，晶体管的参数β  增大  ，ICBO  增大  ，导通电压UBE  减小  。

5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为   99    。

6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过  10  mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过  20  mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30  V。

7．晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母E、 b 和 C 表示。

8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为： NPN 管的 uC  > uB  > uE   ,  PNP管的 uC   <   uB  <  uE ；工作在饱和区时 iC  <  βiB ；工作在截止区时，若忽略 ICBO 和 ICEO ，则 iB   =    0 ， iC   =   0 。

9．由晶体三极管的输出特性可知，它存在  截止区、  放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向 电压，集电结须加 反向  电压。

10、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结  ，另一个叫做  发射结  。

11．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一（内部条件），使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大，  基  区尽可能地薄；第二（外部条件），使  发射  结正向偏置， 集电结反向偏置。

12．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是 Ｉe=Ｉb＋ＩC 。其中Ic/Ib叫做 直流电流放大系数  ，用字母表示;ΔIe/ΔIb叫做  交流电流放大系数  ，用字母β表示。

13．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极 电流来控制 集电极  电流的，其实质是以  微小电流控制  较大电流。

14．硅晶体三极管发射结的导通电压约为　0.7Ｖ，饱和电压降为 0.3Ｖ  ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3Ｖ,饱和电压降为 0.1V  。

15．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 正向 电压，集电结必定加正向 或零电压。

16．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为  输入特性曲线 ;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为  输出特性曲线  。

17．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性  相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是＿Ｕbe的增量＿和  Ib的增量  的比值。

18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将  较差  ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能  不稳定   。

19 ．按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极  、 共集极和 共基极三种基本放大电路。

20．晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 小得多  ，所以硅三极管的  热稳定性  比锗三极管好。

1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为  0.2V   时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.７V时，就认为此二极管为硅二极管。

2、NPN型晶体三极管的发射区是 N型半导体，集电区是N型半导体，基区是P 型半导体。

3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6ｍA。若晶体三极管的直流电流放大系数β=50，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 0.12ｍA 。

4．共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极  和 发射极  组成，它不但具有电流  放大、   电压   放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。

5．晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制  漏极电流   的，所以它的输入阻抗很高。

6．共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为 180° ，这是放大器的重要特征，称为 放大器的倒相作用  。

7．常用的耦合方式有  阻容耦合  、 变压器耦合和  直接耦合  三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用  阻容  耦合电路．

8．放大器的静态是指没有输入信号  时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用  估算   方法确定，也可以用   图解  方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 Ib 、Ie 和 Uce 。场效应晶体管的静态工作点由  UGS  、  Id  和  UDS   确定。

9．晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为  电压   放大和  功率  放大两类。

10．为了使放大器输出波形不失真，除需设置  适当的静态工作点外，还需要采用  稳定工作点  的方法，且输入信号幅度要适中。

11．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生  截止  失真；静态工作点设置太高将产生  饱和  失真。

12．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使ＩC的 正  半周及Uce

的  负  半周失真；静态工作点设置太低时，会使Ic的  负半周及Uce的 正半周失真。

13．晶体三极管工作在放大状态时Uce随Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将  减小   ；如果Ib减小，则Uce将  增大  。因此，Ib可以起调节电压作用。

14．在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Ｒb，则静态工作点沿着负载线  上移  ，容易出

现  饱和失真；若增大Rb，工作点沿着负载线 下移 ，容易出现  截止   失真。

15．如果晶体三极管放大器EＣ增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线      

右移。在晶体三极放大器中RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变   陡     。

16．对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻  大   些，以减轻信号源的负担，输出电阻 小   些，以增大带动负载的能力。

17．由于电容Ｃ具有  隔直流通交流  的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管ｃ、e极间总电压的  交流    部分。

18．为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在  （或直流负载线的中点）  。

19、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（ Si   或  Ge) 、类型（ NPN  或  PNP ）及管脚为哪个极（ e 、 b 或  c ）填入表内。 

1．场效应管从结构上可分为两大类：   结型   、  绝缘栅型 或MOS  ；根据导电沟道的不同又可分为  N沟道    、  P沟道  两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：  耗尽型   、  增强型   。由于场效应晶体管几乎不存在  栅流   ，所以其输入直流电阻  很大   。

2．UGS(off)表示 夹断  电压，IDSS表示  饱和漏极  电流，它们是   耗尽 型场效应管的参数。

3. 增强型场效应管当其 UGS =0 时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时    存在   导电沟道，而增强型 MOS 管则     不存在  导电沟道。  

4. MOS 管的直流输入电阻比结型场效应管的大  。 

5．场效应晶体管一般采用  自偏压（或栅极偏压） 和  分压式（或分压式自偏压  两种偏置电路。

放大电路

1．放大电路的输入电压Ui＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为  100  ，电压增益为  40   dB。

2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越  小  ，输入电压也就越  大   ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越  小   ，放大电路的负载能力就越   强   。

3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压  同  相，电压放大倍数近似为 1  ，输入电阻  大  ，输出电阻  小  。

差分放大电路

1．差分放大电路的输入电压Ui1＝1 V，Ui2＝0.98 V，则它的差模输入电压Uid＝ 0.02 V，共模输入电压UiC＝ 0.99    V。

2．差分放大电路对  差模  输入信号具有良好的放大作用，对 共模  输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移  很小   。

3．两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为   1000  倍，总电压增益为  60  dB。

4．集成运算放大器输入级一般采用  差分  放大电路，其作用是用来减小  零点漂移    。

5．理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似 相等，称为 虚短 ；输入电流近似为 0 ，称为虚断 。

6．集成运算放大器的两输入端分别称为  同相输入  端和  反相输入 端，前者的极性与输出端  反相  ，后者的极性与输出端  同相 。

7.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。使输入量减小的反馈是负反馈。引入直流负反馈可以稳定静态工作点。负反馈越深，电路的性能越稳定。 

8.同相比例运算放大电路是一个深度的电压串联负反馈电路；反相比例运算放大电路是一个深度的电压并联负反馈电路。

9. 参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。

1．将交流电转换为直流电的过程称为 整流 。把脉动直流电变成较为平稳的直流电的过程，称为  滤波 。

2．单相整流电路按其电路结构特点来分，有半波整流电路、全波整流电路和桥式  整流电路。

3．乙类互补对称功放由  NPN   和  PNP   两种类型晶体管构成，其主要优点是   效率高   。

二、选择题 

二极管

1. P 型半导体中的多数载流子是  B   ， N 型半导体中的多数载流子是 A   。 

         A. 电子     B. 空穴  C. 正离子      D. 负离子 

2. 杂质半导体中少数载流子的浓度  C   本征半导体中载流子浓度。   A. 大于     B. 等于     C. 小于 

3. 室温附近 , 当温度升高时 , 杂质半导体中  C    浓度明显增加。 

         A. 载流子      B. 多数载流子     C. 少数载流子 

4．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度D．晶格缺陷

5．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。A．价电子    B．自由电子   C．空穴    D．杂质离子

6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管  A ，反向饱和电流比锗二极管B    。  A. 大    B. 小    C. 相等 

7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压  B    ，反向电流 A    。 

         A. 增大     B. 减小     C. 不变 

8．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。   A．减小  B．基本不变 C．增大

9．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。   A．增大       B．基本不变    C．减小

10．变容二极管在电路中主要用作( D )。    A．整流    B．稳压     C．发光    D．可变电容器

11．当 PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是  （A   ）。

A.多数载流子; B.少数载流子; C.既有多数载流子又有少数载流子

12．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C ）。A.正常;B.已被击穿; C.内部断路

13．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B ）。

A.正常; B.已被击穿; C.内部断路

14．晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管处于（A）。A.反偏，B.正偏，C.零偏

15．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。  A.增大；   B.减小；   C.不变

16．在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关

三极管

1．当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（ C ）。A.饱和状态;B.放大状态;C.截止状态

2．当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C ）。A.截止状态;B.放大状态;C.饱和状态

3．当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ A ）。

A.放大状态; B．饱和状态；C.截止状态

4．晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将  （  C ）。

A.随基极电流的增加而增加； B.随基极电流的增加而减小，C.与基极电流变化无关，只决定于Uce

5．当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C ）。

A.反向；B.增大；C.中断

6．当温度升高时，半导体电阻将（  B  ）。A.增大； ｂ，减小 ；C.不变

7. 工作在放大状态的晶体管 , 流过发射结的 是 A电流，流过集电结的是 B    电流。  A. 扩散  B. 漂移 

8. 晶体管电流由     B      形成，而场效应管的电流由     A      形成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管     C       。               A. 一种载流子     B. 两种载流子     C. 大     D. 小 

9. 晶体管通过改变     A      来控制      C      ；而场效应管是通过改变     B      控制      D      ，是一种     F     控制器件。            

 A. 基极电流     B. 栅 - 源电压     C. 集电极电流     D. 漏极电流      E. 电压     F. 电流 

10．某NPN型管电路中，测得UBE=0 V，UBC= —5 V，则可知管子工作于(  C  )状态。

      A．放大    B．饱和    C．截止    D．不能确定

11．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为(  B  )。

  A．NPN型低频小功率硅晶体管    B．NPN型高频小功率硅晶体管

  C．PNP型低频小功率锗晶体管    D．NPN型低频大功率硅晶体管

12．输入(  C  )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。

  A．正弦小信号   B．低频大信号    C．低频小信号    D．高频小信号

13·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_____B____ 载流子。  A. 有   B. 没有    C. 少数     D. 多数

14·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生____D_____。

A. 负离子    B. 空穴     C. 正离子    D. 电子-空穴对

15、半导体中的载流子为______D___。A. 电子     B. 空穴     C. 正离子     D. 电子和空穴

16、N型半导体中的多子是___A______。A. 电子     B. 空穴     C. 正离子    D. 负离子

17、P型半导体中的多子是__ B _______。A. 电子     B. 空穴     C. 正离子    D. 负离子

18、当PN结外加正向电压时，扩散电流____A_____漂移电流。A. 大于     B. 小于     C. 等与

19、当PN结外加反向电压时，扩散电流______ B ___漂移电流。A. 大于     B. 小于     C. 等于

20、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和ui的相位_B。A. 同相B. 反相C.相差90度D. 不确定

21、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_A_。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定

22、既能放大电压，也能放大电流的是___ A _组态放大电路。A. 共射   B. 共集    C. 共基   D. 不确定

23、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和uii的相位_A。A. 同相B. 反相C.相差90度D.不确定

24、可以放大电压，但不能放大电流的是_C_组态放大电路。A. 共射      B. 共集     C. 共基      D. 不确定

25、可以放大电流，但不能放大电压的是____ B __ 组态放大电路。A. 共射    B. 共集     C. 共基   D. 不确定

26、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是__ B ___组态。

A. 共射    B. 共集    C. 共基    D. 不确定

27、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是___ B___组态。

A. 共射     B. 共集      C. 共基     D. 不确定

28、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是___ C ____组态。

A. 共射      B. 共集     C. 共基     D. 不确定

29、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是__B_____组态。

A. 共射      B. 共集     C. 共基     D. 不确定

30、三极管是__D_器件。A. 电压控制电压   B. 电流控制电压   C. 电压控制电流   D. 电流控制电流

1．测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V，接入2 kΩ的负载后，测得输出电压为1 V，则该放大电路的输出电阻为(  D  )kΩ。    A．0.5    B．1.0    C．2.0    D．4

2．为了获得反相电压放大，则应选用(A)放大电路。 A．共发射极B．共集电极  C．共基极 D．共栅极

3．为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入(  B  )放大电路。

    A．共发射极    B．共集电极    C．共基极    D．共源极

4．放大电路如图T3．1所示，已知RS＝RD，且电容器容量足够大，则  该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为(  B  )。    A． u0l = u02   B．u0l = －u02   C． u0l＞u02    D． u0l＜u02 

5．在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（E  ）。 A.PNP型的基极；B.PNP型的集电极；C.NPN型的基极； D．N PN型的发射极 E．PNP型的发射极；F．NPN型的基极

6．在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（  B ）。

A.晶体三极管将深度饱和；  B．晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏

7．在NPN型晶体三极管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（  A  ）。

A.晶体三极管将深度饱和；B．晶体三极管将截止；C.晶体三极管的集电结将是正偏。

8．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生（B    ）。

A.饱和失真；B.截止失真；C.不失真

9．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高将产生（A    ）。

A.饱和失真；B.截止失真．C.不失真

10．晶体三极管低频小信号放大器能（A ）。A．放大交流信号；B.放大直流信号；C.放大交流与直流信号

11．在晶体三极管放大电路中，出现截止失真的原因是工作点（  B  ）A.偏高；B.偏低；C.适当

12．画放大器直流通道时，电容应视为（  B   ）A.短路；B.开路；C.不变

13．在晶体三极管低频电压放大电路中，输出电压应视为uo=（  B  ）。

A.  icRc；B.  - RciC；  C.  -IcRc    D. IbRc

15．为了使晶体三极管工作于饱和区，必须保证（  A  ）。

A．发射结正偏，集电结正偏；  B．发时结正偏，集电结反偏；C.发射结正偏，集电结零偏

16．共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（C   ）。

A．同相位  B.相位差90º;   C.相位共为1８0º；D．不能确定

17．在阻容耦合多级级大器中，在输入信号一定的情况下，为了提高级间耦合的效率，必须（C  ）。                                                                         A.电阻的阻值尽可能小；B.提高输入信号的频率；C.加大电容以减小容抗；D．尽可能减小时间常数。

18．为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态，可采用（A   ）的方法。

A.减小Ib      B．减 小ＲＣ      C.提高Ec的绝对值

19．为调整放大器的静态工作点，使之上移，应该使Rb电阻值（B   ）。A.增大 B.减小；C.不变

20．如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（C   ）。

    A.集电极电流减小；B.集电极电压Uce上升；C.集电极电流增大

21．在晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管（  B  ）。

A.集电极电压Uce上升；B.集电极电压Uce下降；  C.基极电流不变

22．在室温升高时，晶体三极管的电流放大系数β(  A   )。    A.增大； ｂ，减小；   C.不变

23．在室温升高时，晶体三极管电压放大器的电压放大倍数（B   ）A.增大；B.减小；C.不变

24．当交流放大器接上负载ＲＬ后，其交流负载线的斜率(  E  )。

A.由ＲL的大小决定；B.若RＣ的大小不变，则交流负载线的斜率不变；C.因电容Ｃ具有隔直流作用，所以斜率不变； D．由ＲＣ和RL的串联值决定； E．由RL和Rc的并联值决定

25．场效应晶体管源极输出器类似于（B  ）。A.共发射电路；B.共集电极电路；C.共基极电路

26．(  D  )具有不同的低频小信号电路模型。

  A．NPN型管和PNP型管    B．增强型场效应管和耗尽型场效应管

  C．N沟道场效应管和P沟道场效应管    D．晶体管和场效应管

27．当UGS＝0时，(  B  )管不可能工作在恒流区。

  A．JFET    B．增强型MOS管    C．耗尽型MOS管  D．NMOS管

28、下列场效应管中，无原始导电沟道的为(  B  )。

  A．N沟道JFET      B．增强型PMOS管  C．耗尽型NMOS管    D．耗尽型PMOS管

29、场效应管是利用外加电压产生的__B_来控制漏极电流的大小的。A. 电流  B. 电场   C. 电压

30、场效应管是__C__器件。A. 电压控制电压  B. 电流控制电压  C. 电压控制电流  D. 电流控制电流

31、结型场效应管利用栅源极间所加的__A___来改变导电沟道的电阻。

A. 反偏电压      B. 反向电流       C. 正偏电压      D. 正向电流

32、场效应管漏极电流由__ C ___的漂移运动形成。A. 少子  B. 电子     C. 多子   D. 两种载流子

33、P沟道结型场效应管的夹断电压Up为____A____。   A. 正值    B. 负值     C.uGS      D. 零

34、N沟道结型场效应管的夹断电压UP为____B_____。  A. 正值    B. 负值     C. 零

35、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UP为___ A _____。 A. 正值    B. 负值     C. 零

36.当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A  。A.增大B.不变C.减小下载本文