考试时间 2012年11月27日
一、填空题（20分）
1.一波长为555纳米的点辐射源，功率为5mW，在空间一点的发光强度为______，距离辐射源0.5米处的光照度为______。
2.一黑体辐射峰值波长为1605nm，其温度为______,总的辐射功率为_____。
3.一器件的比探测率D*为（已知），光敏面面积Ad（已知），探测带宽为10HZ，则它的最小可探测功率P为_____。
4.器件在波长为（已知），功率为Φ（已知）的辐射照射下，输出电流为I（已知），则它的量子效率为_____。
2、简答题（20分）
1.比较光电导探测器和光伏探测器的差别。
2.最佳源电阻的表达式及其物理意义。
3.热释电探测器的工作原理。
4.解释光外差效应的原理。
3、计算题（50分）
1.硅光电池，在100lx光照下 Voc=400mV, ISC=30μA,若输入光照度，最大功率输出时的偏置电阻，最大功率PLmax。
2.已知F1=（已知），F2=（已知），F3=（已知），Kp1=（已知），Kp2=（已知）,，求Eni。
3.画出锁相放大器的工作原理框图，描述其工作原理。若参考信号频率200Hz，待测信号幅值1V，积分器的直流增益为10，求以下信号输入时的系统输出：
a)，Vo=？
b)，Vo=？
c)，Vo=？
4. 画出双沟道双相CCD的结构示意图，叙述其电荷耦合原理，画出其输出波形，包含。
4、设计题（10分）
设计一光电探测系统测量直径为20mm的圆柱体的直径，要求画出原理框图，详细叙述其原理，并解释那些因素会影响其测量精度。
声明
这是2012年华中科技大学测控及光电相关专业光电探测与信号处理试卷，题目由本人根据今天考试默写，具体数值不清楚但都有标注，重在说明考试题型。郑重警告，切勿用作商业用途传播！
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