一 名词解释
1晶体中电子的运动
2 电导率
3热载流子
4本征激发
5施主
6镜像力
二 问答题
1掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。
2影响迁移率的主要因素有哪些？
3间接复合效应与陷阱效应有何异同？
三 证明当µn≠µp，且电子浓度，空穴浓度时半导体的电导率有最小值，并推导的表达式。
四 计算
1试分别计算本征Si在77K、300K和500K下的载流子浓度。
2某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.5×1016cm-3，势垒高度为0.eV，加上4V的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？
五 作图
试分别画出n型和p型半导体分别形成阻挡层和反阻挡层的能带图。
3施主浓度为7.0×1016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。下载本文
