M27C4001

4比特(512 Kb x 8)紫外线和OTP EPROM编程只读存储器

特性概述

■5伏±10%读操作的电源电压

■访问时间:35 ns

■低功耗:

目前的30 -活跃的马在5 MHz

——目前100μA备用

■编程电压:12.75伏±0.25 V

■编程时间:100μs /词

■电子签名

写入该设备通过下面的编程过程。

对于应用程序的内容是程序只有一个时间和擦除不是

需要时,M27C4001提供PDIP32,PLCC32和TSOP32(8×20毫米)包。

为了符合环保要求,提供了在ECOPACK圣M27C4001®

包。

ECOPACK包是无铅。 第二层次互连的范畴标记

在产品包装和标签内盒,符合JESD97 JEDEC标准。

相关的最大额定值焊接条件也标在内部箱子标签。

ECOPACK是一个圣商标。ECOPACK规格可在:www.st.com

图1。逻辑图

表1。信号名称

A0-A18                   地址输入

Q0-Q7                    数据输出

E                        芯片使

G                        输出使

VPP                      项目供应

VCC                      电压

VSS                      地面

图2。DIP 引脚定义

LCC引脚定义

TSOP引脚定义

设备操作

这个模式的运行M27C4001列在表的操作模式。一个

电源中需要读模式。所有输入都是除了VPP TTL水平和12 V

在A9电子签名的。

2.1读模式

这个M27C4001有两个控制功能,两者都必须在逻辑上活跃为了

获取数据输出。芯片启用(E)是功率控制和应该用于

设备的选择。输出启用(G)是输出控制和应该用于门数据

输出插脚,于设备的选择。假设这个地址是稳定的,

地址访问时间(tAVQV)等于推迟E输出(tELQV)。数据

可以在输出的tGLQV延迟一段时间从掉落的边上G,假定E已经

被低和地址已经至少tAVQV-tGLQV稳定。

2.2待机模式

这个M27C4001有待机模式从而减少电流从30到100μA马。

这个M27C4001置于待机模式通过应用CMOS高信号到E

输入。当在待机模式下,输出高阻抗状态,的

G输入。

两行输出控制2.3

因为EPROMs通常被用在更大的内存数组,此产品的特点2行

控制功能,可以容纳使用多个记忆之间的联系。这两行

控制功能允许:

一个可能的内存)最低的功率消耗,

b)完成保证输出总线竞争将不会发生。

对于最有效地利用这两种控制线路,E应该解码和使用的

主要设备选择功能,而G应该做了一个常见的连接到所有

设备在数组和连接到读线从系统控制总线。这

确保所有deselected内存设备在他们的低功耗待机模式下,

输出针脚只有活动数据时,需要从一个特定的存储装置。

2.4系统的考虑

功率开关特性的先进CMOS EPROMs需要小心

解耦的设备。目前供应,国际刑事法庭,有三个领域感兴趣的

系统设计者:备用当前水平,积极的当前水平,和瞬态电流

山峰所产生下降和上升的边缘的大肠严重性的瞬态

当前的山峰是依赖于电容和电感的加载设备

输出。相关的瞬态电压峰值能遵守加以抑制

两行输出控制和通过适当选择偶合电容。建议

一个0.1μF陶瓷电容器,每个设备上使用,VSS VCC之间。这应该

是一个高频率电容器的低固有的电感和应该放在尽可能靠近

尽可能的设备。此外,一个4.7μF大部分应该使用电解电容器

VCC之间,每8个设备VSS。大部分电容器应当靠近

电源连接点。大部分电容器的目的就是要克服电压

下降导致的归纳影响的PCB导线。

2.5编程

当交付(和之后的每一个擦除紫外线EPROM),所有的碎片M27C4001在

“1”状态。数据是通过有选择性地介绍了编程' 0的成所需的一些地点。

尽管只有' 0的将被编程,不论是“1和“0可以出现在数据字。

要想改变一个‘0’一个' 1 '是死暴露于紫外线(UV EPROM)。这个

M27C4001就是编程模式当VPP输入是12.75 V,G是在VIH和E

脉冲以饰。数据被应用于8位并行数据输出

针。所要求的水平的地址和数据输入TTL。VCC是指定

6.25伏±0.25 V。

2.6很快II编程算法

转眼间II编程算法允许整个阵列输入一系列

保证利润率,在一个典型的52.5秒的时间。编程和PRESTO II

包括应用序列的100μs程序脉冲每个字节,直到一个正确的验证

发生(见图5)。在编程和验证操作、保证金模式电路

自动激活,以保证每一个细胞都是编程拥有足够的

保证金。没有overprogram脉冲是应用自验证模式提供保证金的

必要的保证金,每个程序性细胞。

图5。程序流程图

2.7程序抑制

在并行编程的多个M27C4001s也可以很容易地使用不同的数据

完成了。除了E,都喜欢输入包括G的平行M27C4001可能

常见的。一个TTL低水平脉冲应用到一个M27C4001的E输入,VPP在12.75伏,

M27C4001程序。 一个高水平的E输入抑制其他M27C4001s从

编程。

2.8程序验证

一个验证(读)应进行了编程的位,确定他们

正确的程序。验证是成就与G在维尔,E在VIH,VPP在12.75 V和

VCC于6.25伏。

2.9电子签名

电子签名(ES)模式允许读出来的二进制代码从一个

可编程只读存储器,它会识别其制造商和类型。这种模式是适用的

编程设备自动匹配设备必须编程与它的

相应的规划算法。e级的模式是在25°C功能±5°C

环境温度范围,M27C4001时需要编程的。激活

e级的模式下,编程设备必须强迫11.5 V 12.5 V的地址行A9

M27C4001的与VPP = VCC = 5 V。 两个标识符字节也许就无法测出的

设备输出通过启用地址行A0到VIH从饰。所有其他的地址线必须

维尔举行在电子签名模式。字节0(A0 =饰)代表制造商

代码和字节1(A0 = VIH)设备标识符的代码。对意法半导体

M27C4001,这两个标识符字节表3给出了,可以在输出的读取器

7 Q0。

2.10擦除操作(适用于UV EPROM)

消除M27C4001的特点是这样的,当细胞开始消除

暴露在光线与波长短于约4000个。还应该注意的

阳光和一些类型的荧光灯的波长范围在3000 - 4000年的一个

范围。数据显示,持续的接触到房间水平荧光灯可以抹去

典型的M27C4001在大约3年,而这将造成约一星期

擦除直接暴露于阳光的时候。如果M27C4001是会接触到这些类型的

照明条件下时间延长,建议不透明的标签是把

在M27C4001窗户以免意外擦除。推荐的擦除

M27C4001过程是接触短波紫外线具有

2537的波长。集成的剂量(即。紫外线强度x曝光时间)对擦除

至少应在15 W-sec /平方厘米。与这个剂量的擦除时间大约是

15到20分钟以一个紫外线灯与12000μW / cm2额定功率。M27C4001的

应放置在2.5厘米(1英寸)管的灯在擦除。一些灯

有一个过滤器在他们管这应该拆除之前擦除。

表2。操作模式

表3。电子签名

3最高评级

强调了设备高于评级列入绝对最大额定值表可能

对器件造成永久性的损坏。这些只是应力等级和操作的

设备在这些或任何其他条件表明上述操作的部分

这个规范是不可取的。暴露于绝对最大评级条件

时间延长可能影响器件的可靠性。还指意法半导体的肯定

计划和其他相关质量文件。

表4。绝对最大额定值

1。取决于范围。

-40年到125年°C

TBIAS温度在-50年到125年°C的偏见

-65年至150年TSTG储藏温度°C

vio

(2)

2。至少在输入或输出直流电压为-0.5 V与可能低于-2.0 V一段时间

不到20 ns。最大的直流电压输出是VCC + 0.5 V与可能的过度到VCC

+ 2 V期少于20 ns。

4直流和交流参数

本节总结操作和测量条件和直流和交流

设备的特点。参数的直流和交流特征表

遵循源于测试条件下进行测量进行了总结

相关的表。设计者应该检查操作条件的电路

匹配测量条件时依靠引用参数。

表5。AC测量条件

高速              标准

输入上升和下降            ≤10 ns          ≤20 ns

输入脉冲电压             0到3 V           0.4到2.4 V

输入和输出时间Ref电压     1.5伏。          0.8和2 V

图6。AC测试输入输出波形

高速                                          标准

图7。AC测试负载电路

测装置：DEVICE  UNDER  TEST

CL = 30 pF对高速度

CL = 100 pF标准

CL包括夹具电容

表6。电容

符号            参数                  测试条件                                  单位

1。TA = 25°C,f = 1 MHz。             Input Capacitance：输入电容

2。只取样,而不是100%的测试。          Output Capacitance：输出电容

表7。读模式直流特性

Input Leakage Current ：输入泄漏电流

 Output Leakage Current ：输出泄漏电流

 Supply Current：电流

 Supply Current (Standby) TTL ：电流(备用)TTL

Supply Current (Standby) CMOS：电流(备用)

 Program Current：程序当前

 Input Low Voltage：输入低电压

Input High Voltage ：输入高电压

Output Low Voltage：产量低电压

Output High Voltage TTL：输出高电压TT L 

Output High Voltage CMOS：输出高电压CMOS

1．TA = 0到70或-40至85°C°C,VCC = 5伏±5%或5伏±10%;VPP = VCC

2．VCC同时必须应用或之前或之后VPP和移除同时VPP . .

3．最大的直流电压输出是VCC + 0.5 V。

表8。编程模式直流特性(1)(2)

符号            参数                  测试条件  

Input Leakage Current ：输入泄漏电流

 Supply Current ：电流

 Program Current ：程序当前

 Input Low Voltage：输入低电压

 Input High Voltage：输入高电压

 Output Low Voltage ：产量低电压

Output High Voltage TTL：输出高电压TT

A9 Voltage：A9电压

1。TA = 25°C,VCC = 6.25伏±0.25 V;VPP = 12.75伏±0.25 V。

2。VCC同时必须应用或之前或之后VPP和移除同时VPP

图8。读模式AC波形

表9。读模式AC特征

符号            参数                  测试条件  

1。TA = 0到70或-40至85°C°C,VCC = 5伏±5%或5伏±10%;VPP = VCC

2。VCC同时必须应用或之前或之后VPP和移除同时VPP符号Alt参数的测试条件M27C4001-35(3)单元

3。速度获得高速AC测量条件。

4。只取样,而不是100%的测试。

Address Valid to Output Valid：地址有效输出有效。

Chip Enable Low to Output Valid：芯片使低到输出有效

Output Enable Low to Output Valid：输出使低到输出有效

Chip Enable High to Output Hi-Z：芯片Hi-Z启用高输出

Output Enable High to Output Hi-Z：输出Hi-Z启用高输出

Address Transition to Output Transition：地址转换到输出转换

表10。读模式AC特征

符号            参数                  测试条件

1。TA = 0到70或-40至85°C°C,VCC = 5伏±5%或5伏±10%;VPP = VCC

2。VCC同时必须应用或之前或之后VPP和移除同时VPP。

3。只取样,而不是100%的测试。

Address Valid to Output Valid：地址有效输出有效。

Chip Enable Low to Output Valid：芯片使低到输出有效

Output Enable Low to Output Valid：输出使低到输出有效

Chip Enable High to Output Hi-Z：芯片Hi-Z启用高输出

Output Enable High to Output Hi-Z：输出Hi-Z启用高输出

Address Transition to Output Transition：地址转换到输出转换

图9。编程和验证模式AC波形

VALID：有效    DATA IN：数据输入    DATA OUT：数据输出     VERIFY：核对

表11。编程模式AC特征

符号                          参数                  测试条件

1。TA = 25°C,VCC = 6.25伏±0.25 V;VPP = 12.75伏±0.25 V

2。VCC同时必须应用或之前或之后VPP和移除同时VPP。

3。只取样,而不是100%的测试。

Address Valid to Chip Enable Low：地址有效芯片使低

Input Valid to Chip Enable Low：输入有效的芯片使低

VPP High to Chip Enable Low：VPP高到芯片使低

VCC High to Chip Enable Low：VCC高到芯片使低

Chip Enable Program Pulse Width：芯片使程序脉冲宽度

Chip Enable High to Input Transition：芯片能使高输入过渡

Input Transition to Output Enable Low：输入过渡到输出使低

Output Enable Low to Output Valid：输出使低到输出有效

Output Enable High to Output Hi-Z：输出Hi-Z启用高输出

Output Enable High to Address Transition：输出使高到地址转换

5包装机械

图10。FDIP32W - 32销陶瓷Frit-seal沾窗口,计划大纲

1。绘画是不成比例的

表12。FDIP32W - 32销陶瓷Frit-seal沾窗口、包装机械数据

图11。PDIP32 - 32铅塑料下降,600毫升的宽度,计划大纲

1。绘画是不成比例的

表13。PDIP32 - 32铅塑料下降,600毫升的宽度、包装机械数据

图12。PLCC32 - 32铅塑料铅芯片载体,包大纲

1．绘画是不成比例的

表14。PLCC32 - 32铅塑料铅芯片载体、包装机械数据

图13。TSOP32 - 32铅塑料薄小轮廓,8×20毫米,计划大纲

2．绘画是不成比例的

表15。TSOP32 - 32铅塑料薄小轮廓,8×20毫米、包装机械数据

6零件编号

Device Type：设备类型

Supply Voltage电源电压

Device Function设备功能

Speed速度

VCC Tolerance VCC宽容

Package包

Temperature Range温度范围

1。高速度,看看AC特性一节为进一步的信息。对于一个可用选项列表(速度、包装等)或在任何进一步的信息 这个设备方面,请联系离你最近意法半导体销售办事处。

表16。订购信息计划

     示例

请仔细阅读:

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