1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）

2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。（未知）

3、最基本的如三极管曲线特性。（未知）

4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子）

5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）

6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）

7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。（未知）

8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。（凹凸）

9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。（未知）

10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。（未知）

11、画差放的两个输入管。（凹凸）

12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。（仕兰微电子）

13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。（未知）

14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。(Infineon笔试试题)

15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。当RC<< period - setup – hold

16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max，最小为T1min。组合逻辑电路最大延迟为T2max,最小为T2min。问，触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。（华为）

17、给出某个一般时序电路的图，有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有clock的delay,写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。（威盛VIA 2003.11.06上海笔试试题）

18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。（威盛VIA 2003.11.06上海笔试试题）

19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing。（威盛VIA 2003.11.06上海笔试试题）

20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。（未知）

21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。（未知）

22、卡诺图写出逻辑表达使。（威盛VIA 2003.11.06上海笔试试题）

23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛）

24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P- well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve?（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）

25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？（仕兰微电子）

27、用mos管搭出一个二输入与非门。（扬智电子笔试）

28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）

29、画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（Infineon笔试）

30、画出CMOS的图，画出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06上海笔试试题）

31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。（飞利浦－大唐笔试）

32、画出Y=A*B+C的cmos电路图。（科广试题）

33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。（飞利浦－大唐笔试）

34、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C(D+E)。（仕兰微电子）

35、利用4选1实现F(x,y,z)=xz+yz’。（未知）

36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化简）。

37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（Infineon笔试）

38、为了实现逻辑（A XOR B）OR（C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR答案：NAND（未知）

39、用与非门等设计全加法器。（华为）

40、给出两个门电路让你分析异同。（华为）

41、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为…（仕兰微电子）

42、A,B,C,D,E进行投票，多数服从少数，输出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0多，那么F输出为1，否则F为0），用与非门实现，输入数目没有。（未知）

43、用波形表示D触发器的功能。（扬智电子笔试）

44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。（扬智电子笔试）

45、用逻辑们画出D触发器。（威盛VIA 2003.11.06上海笔试试题）

46、画出DFF的结构图,用verilog实现之。（威盛）

47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。（未知）

48、D触发器和D锁存器的区别。（新太硬件面试）

49、简述latch和filp-flop的异同。（未知）

50、LATCH和DFF的概念和区别。（未知）

51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的。（南山之桥）

52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图。（华为）

53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路？（汉王笔试）

54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路？（东信笔试）

55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 1 (Intel) 16分频？

56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器，输入carryin和current-stage，输出carryout和next-stage.（未知）

57、用D触发器做个4进制的计数。（华为）

58、实现N位Johnson Counter,N=5。（南山之桥）

59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢？（仕兰微电子）

60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL，如设计计数器。（未知）

61、BLOCKING NONBLOCKING赋值的区别。（南山之桥）

62、写异步D触发器的verilog module。（扬智电子笔试）module dff8(clk , reset, d, q); input clk; input reset; input [7:0] d; output [7:0] q; reg [7:0] q; always @ (posedge clk or posedge reset) if(reset) q <= 0; else q <= d; endmodule

63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述？（汉王笔试）module divide2( clk , clk_o, reset); input clk , reset; output clk_o; wire in; reg out ; always @ ( posedge clk or posedge reset) if ( reset) out <= 0; else out <= in; assign in = ~out; assign clk_o = out; endmodule

6?、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：a)你所知道的可编程逻辑器件有哪些？b)试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。（汉王笔试）PAL 

IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）

1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕兰微面试题目）

2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。（未知）答案：FPGA是可编程ASIC。ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点

3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）

4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目）

5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目）

6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。（仕兰微面试题目）

7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（未知）

8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知）

9、Asic的design flow。（威盛VIA 2003.11.06上海笔试试题）

10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛）

11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试）先介绍下IC开发流程：

1.）代码输入（design input)用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码语言输入工具：SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR图形输入: composer(cadence); viewlogic (viewdraw)

１．常见的信号完整性问题有：（过冲）.（）.（）．（）．（他提示一个，要求填３个）;

　　　２．选择题：最适合用来滤除高频噪音的电容是：A钽电容B铝电解C陶瓷电容;

　　　３．线形电源与开关电源的区别（），（），（）;

　　　４．EMC指标：（要求写５条）;

　　　５．OC,OD是什么电路？输出要注意什么？

　　　６．示波器的触发方式（要求写３种）？同时测量高．低频两种信号应采用那种触发方式？

　　　７．闩锁效应是那种器件独有的一种失效特性？

　　　８．DDR SDRAM与SDRAM有什么区别？DDR典型电路（选择，不太记得图了）;

　　　９．PCB 走线的３W原则是什么？差分信号的走线原则;

　　　１０．产品可靠性指标（要求写３个），你在设计中如何确保产品的可靠性？

1.RAID0,RAID1,RAID10，RAID5,RAID6解释各自优势

2.NAS，SAN的区别

3.RAM,ROM和FLASH ROM的异同

4,。熟悉的主板芯片，总线和接口，并详细描述

5.详细解释你熟悉的CPU的性能指标

6.写出近期或未来IT相关的新技术

7.写出近期和IT相关的新闻下载本文