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1 MOSFET特性

输入特性：电压型驱动器件。对于N沟道的GS有一定的正向电压，MOSFET的DS电阻减小达到导通；小于电压时，电阻增大，认为截止。

当合上开关时灯会亮。MOSFET的寄生参数在作怪。GD,GS有一定的寄生电阻对电源电源进行分压，并非完全导通。G极不能选悬空，需要下拉电阻（或泄放电阻）。使得驱动电路开路时能防止误导通。在功率板与控制板分开时就好将此电阻放到功率板上。防止驱动板扒开后调试功率板而将其烧坏。

驱动输出到G之间串一个电阻，称为栅极电阻。

栅极电阻上的波形

栅极的充电特性

电容充放电的过程。栅极的输入特性为容性。平行的那部分，是米勒电容影响。米勒电容充满后才达到驱动输出电压。理想的驱动电路可以提供无限大的灌拉电流，也就是内阻为零。驱动电路短路时的最大电流称之为驱动电路的驱动电流。、

2 具体的驱动电路

1．直接驱动

UC3842、SG3525

驱动电路的参考地和MOSFET的S极等电位。

使得MOSFET的开通和关断速度不一样。跟D串联的电阻比G串的那个电阻小，则开通慢，关断快；也可以反过来。

2．带图腾柱输出的驱动电路

当PWM驱动芯片的驱动电流不足驱动一个很大功率的MOSFET或多个MOSFET并联。最简单的方法是加个图腾柱驱动。的需要较大的驱动电流时，可以增加个三极管组成射极跟随器，具有电流放大功能。

3．集电极开路的PWM控制IC的驱动输出电路

只有拉或灌电流，不能直接驱动MOSFET。

Q三极管为加快放电的。

4、采用专用的MOSFET驱动器

Mic4451带反向器的。低电平有效4451；高电平有效4452

5、隔离驱动电路

PWM信号与功率级没有电气连接或PWM信号的参考地与功率管的S极不等。

5.1光耦隔离驱动电路

副边需要图腾柱电路。

防止米勒效应在桥式电路中产生电压毛刺。需要负压驱动

5.2 采用专用的光耦驱动器的驱动电路

TLP250等，驱动速度快。内部带图腾柱。

5.3 变压器隔离驱动电路

变压器不适合传递直流信号和占空比很大的信号。

下图为最简单的变压器隔离驱动电路。

5.3.2 带图腾柱驱动的变压器隔离驱动

当PWM芯片的驱动能力很弱时，增加图腾柱。

5.3.3 适合比较大的占空比

占空比大，驱动的正向电平就越低。为了改善

5.3.4 比较高性能的变压器隔离驱动

6.1 光耦自举供电的驱动电路

6.2 使用自举供电的自举半桥驱动器的驱动电路

IR2110

高频0,1-1uF her306

50Hz 47-100uF 1N4007

7、单片机输出PWM对MOS管的驱动

将5V或3,3V转换成10V以上的。

7.1 光耦

7.2 专用的驱动器实现电平转换

7.3 用分立元件组成

在成本比较敏感的适合。

分立式的驱动电路

8 P管的驱动

跟N管的电压电流方向相反。可参阅相关资料进行详细了解。

9 多个MOSFET并联的驱动

驱动电路时驱动电流时所有的mosfet的驱动电流之和。各个MOSFET的栅极都需要栅极电阻，不能所有的栅极电阻直接连接起来再接一个总的栅极电阻，这样可以避免产生寄生振荡。下载本文