晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。晶态硅的熔点1410C,沸点2355C,密无定形硅是一种黑灰色的粉末。
用硅来做MEMS产品，主要应用(100)或（110）的晶圆，在各向异性腐蚀法实现腐蚀的过程中，采用湿法腐蚀和干法腐蚀，其中干法刻蚀与晶体的晶向没有直接的关系，仅靠轰击硅片表面的高能粒子的方向来实现控制，而湿法腐蚀则主要依靠不同晶面的腐蚀速率之间的差异来实现的。例如，在诸如悬臂梁、桥、凹坑结构的实现中，
采取100面的晶圆加工，沿<110>晶向做掩膜，然后在碱性溶液KOH或NaOH中腐蚀，可以实现与100面夹角为54.7°的{111}光滑面，这在压力传感器等结构的制作中经常用到。
另外，也有采用（110）硅片加工（110）面是MEMS中用途最广泛的晶面之一，而且湿法腐蚀（110）硅片时，表现出与（100）硅片不同的特性，在（１１０）硅片上腐蚀制作出垂直于衬底的｛１１１｝面，可以提供大面积／高质量的光学表面，在光学领域具有广泛的应用。下图给出（110）硅片上存在{111}面方位及其各向异性掩膜腐蚀截面 ，（1）（2）（3）分别表示了（110）硅片中存在{111}面的三个方位，沿着这三个方位做定向掩膜腐蚀，方位（1）和（2）形成U型沟槽，而（3）方位则形成V型沟槽。U型沟槽的侧壁是与表面（110）面相垂直的{111}面，分别是（）（）（）和（）面，这四个{111}面两两平行，彼此间夹角为70.53°，V型槽的两侧壁为（111）面和（）面，与（110）面的夹角为35.26°。形成V型沟槽的方位（3）与（110）硅片定位面（111）面的夹角为54.5°。
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