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华中科技大学_模拟电子技术_第2次作业
2025-10-03 15:15:44 责编:小OO
文档
华中科大模拟电子技术第二次作业

1.解:

图A是PNP管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大状态;

图B是NPNP管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大状态;

图C是PNP管,发射结反偏,集电结零偏压;工作在截止区;

图D是NPN管,发射结正偏,集电结正偏,工作在饱和区;

图E是PNP管,发射结正偏,集电结反偏,有可能工作在放大状态;

2. 解:空载时,IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=6V;最大不失真输出电压峰值约为5.3V,有效值约为3.75V。

带负载时,IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=3V;最大不失真输出电压峰值约为2.3V,有效值约为1.63V。Uom

如下图所示。

3. 解:

(1)  (×)       (2) (× )

    (3) (× )           (4) (√ ) 

    (5)  (× )             (6) (×)

    (7)  (× )                     (8)  (√ )

    (9) (√ )                      (10) (× )

    (11) (× )                   (12) (√ )

4.解:

(1)∵ IB=(VCC-UBE)/Rb2- UBE/Rb1=174-163=11μA,IC=βIB=1.32mA,

∴UC=VCC-ICRC=8.3V。

(2)Rb1短路,IC=IB=0,∴UC =15V。

(3)Rb1开路,临界饱和基极电流IBS=(VCC-UCES)/ βRc≈23.7μA,

实际基极电流IB=(VCC-UBE)/Rb2=174μA。∵ IB>IBS,管子饱和,∴UC=UCES=0.5V。

(4)Rb2开路,无基极电流,UC =VCC =15V。

(5)Rb2短路发射结将烧毁,UC可能为15V。

(6)RC短路,UC =VCC =15V。

5.解:在空载以及负载情况下,此电路的静态电流,rbe均相等,分别为:

IBQ=(VCC-UBEQ)/Rb-UBEQ/Rs≈22μA,

ICQ=βIBQ≈1.76mA,

rbe =rbb+(1+β)*26mV/IEQ≈1.3kΩ

空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别是:

UCEQ=VCC-ICQ*Rc≈6.2V;Au=-βRc/rbe≈-308

Ri=Rb//rbe≈rbe≈1.3kΩ;Aus≈rbe/(rbe+Rs)* Au≈-93

Ro=Rc=5 kΩ

RL=3 kΩ时,静态管压降、电压放大倍数分别为:

UCEQ=RL/(RL+RC)*VCC-ICQ*(RC//RL)≈2.3V;

Au=-β(Rc//RL)/rbe≈-115,Aus≈rbe/(rbe+Rs)* Au≈-34.7

Ri=Rb//rbe≈rbe≈1.3kΩ, Ro=Rc=5 kΩ。下载本文

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