对于C6701，EMIF与SDRAM的接口时序由SDCTL寄存器控制。EMIF提供了5个时序参数，其中3个在SDCTL寄存器中设置，另外2个为固定值，如表4-4所列。在分析接口时序的配合情况时，需要计算“富裕时间”的大小，这是在考虑了SDRAM芯片的器件手册提供的最坏情况之后，得到的时序上的一个裕量，至于值的大小，是系统设计层需要考虑的问题，具体要求随不同的系统而异，而且与印制板的实际布线情况以及负载的情况密切相关。
SDCTL中需要设置的三个参数TRC、TRCD、TRP用以下三个公式来计算：
式中是指SDRAM芯片的时钟周期。
表4-4 C6701的SDRAM接口时序参数
| 参数 | 控制内容 | 相对于EMIF Clock的周期数 |
| REFR命令到ACTV、MRS或是下一个REFR命令之间的时间 | TRC+1 | |
| ACTV命令到READ或WAT命令之间的时间 | TRCD+1 | |
| DCAB命令到ACTV、MRS、REFR命令之间的时间 | TRP+1 | |
| ACTV命令到DEAC、DCAB命令之间的时间 | 7 | |
| 读数据和DCAB命令之间的时间 | 2 |
在需要配置的寄存器位段方面，EMIF全局控制寄存器中的SDCEN位,（位6）设置为1，用来使能SDRAM同步时钟SDCLK的输出。EMIFEC2空间控制寄存器中的MTYPE位段（位6～4）设置为011b，用来配置CE2为32位宽的SDRAM空间。由HY57V281620ET-H数据手册可查得、、，根据上面的计算公式，故而EMIF SDRAM控制寄存器中的TRC位段（位15～12）应设置为0100b，TRP位段（位19～16）应设置为0001b，TRCD位段（位23～20）应设置为0001b。INIT位（位24）置1，用来强制对SDRAM进行上电初始化。RFEN位（位25）置1，用来使能EMIF对SDRAM的刷新。SDWID位（位26）置1，用来向EMIF表明所使用的SDRAM芯片的字宽为16位，由于HY57V281620ET-H的刷新频率为每ms4096次，故根据公式c，EMIF SDRAM时序控制寄存器中的PERIOD位段（位11～0）被设置为0x209。
用C语言来实现完成上述初始化的操作如下所示[32,33,34]：
#define EMIF_GCR 0x 0x01800000
#define EMIF_CE2 0x 0x01800010
#define EMIF_SDCTL 0x 0x01800018
#define EMIF_SDTIM 0x 0x0180001C
void c6701_sdram_init()
{
CSL_init();
*（unsigned volatile int *）EMIF_GCR=0x3679;
*(unsigned volatile int*)EMIF_CE2=0xffff3f33;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTL=0x03114000;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDTIM=0x00138209;
}
FLASH相关：
在本系统中，FLASH芯片外接在DSP1的CE1空间。EMIF接口由一组存储器映射的寄存器进行控制与维护，包括配置各个空间存储器类型和设置读写时序等。和异步器件接口时需配置CE空间控制寄存器，由它来控制存储器的读写周期，本系统用到了CE1空间，故需要设置CE1空间控制寄存器的值。在设置CE1空间控制寄存器时，应满足以下条件：
1）异步读时：
2）异步写时：
3）附加参数：
对于本系统，从AM29LV320DB90的数据手册可以查出如下参数的值：、、、、、、、。而DSP1的时钟信号CLKOUT1为133MHz，所以。根据以上的公式，对EMIF寄存器相关的读写参数作出如下的计算：
1）寄存器相关读参数：
设置SETUP=1，
根据公式：，
因此：
取STROBE=15cycles，则；
，
因此：
因为HOLD不能为负，所以取HOLD=0，则；
取HOLD=3cycles，。
SETUP+STROBE +HOLD=19cycles;可以满足条件。
2）寄存器相关写参数：
，
取STROBE=7cycles，则
，
因此：，
取SETUP=3cycles，则；
，
取HOLD=3cycles，则；
所以： =97.5ns>90ns，满足条件。
通过以上的计算，我们已经知道本系统中EMIF相关寄存器位段的值，在初始化EMIF时，只需将其值写入相应的寄存器即可，其C语言的实现和SDRAM初始化相似，在此不再详述。
FIFO相关：
相关的三个参数由以下公式来确定：
式中指的为C6701的时钟频率，而其他的相关参数、、、、、、等均可从器件手册或者由FPGA提供。下载本文
