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硅太阳能电池发电原理分析
2025-10-04 09:50:31 责编:小OO
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硅太阳能电池发电原理分析

纯净的硅在常温下电导率较小,导电性能很差,且对温度变化敏感,很难对其特性进行控制,因此实际应用不多。实际应用的半导体是在纯硅中加入微量的杂质元素后的材料。

1.P型半导体

在纯净的硅中掺入硼或铟三价元素(价电子数为3,即外围电子有3个)时,硅4个外围电子中的1个会“跃迁”到硼或铟的外围电子层上,这样硅原子失去1个电子而变成了一个正离子。硅原子失去1个电子后,在其原来的外围电子层位置出现一个“空位”,这个“空位”被称为“空穴”(如图9所示),这种半导体被称为空穴半导体,也叫作P型半导体(“P”表示正电的意思)。

在P型半导体中,由于“空穴”的出现,使其导电性能增强。其导电主要是由带正电的空穴完成的,远超过电子的导电,即:在P型半导体中,电子是“少数载流子”,简称少子;空穴是“多数载流子”,简称多子。

2.N型半导体

在纯净的硅中掺入磷或砷五价元素(价电子数为5,即外围电子有5个)时,杂质元素最外层有5个价电子,它与周围的硅原子结合时,多出一个电子。在常温下,由于热激发,多出的电子很容易成为自由电子,使杂质原子成为正离子。如图10所示。

在此种半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。这种半导体称为N型半导体。

3.PN结

如图11所示,若把P型半导体和N型半导体结合在一起(如左右两层),交界面便形成一个P-N结。太阳能电池的奥妙就在这个“结”上,P-N结就像一堵墙,阻碍着电子和空穴的移动。但当受到阳光照射时,电子接受光能,向N型区移动,使N型区带负电,同时空穴向P型区移动,使P型区带正电。这样,在P-N结两端便产生了电动势,也就是通常所说的电压。这种现象就是上面所说的“光生伏特效应”。如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线,接通负载,则外电路便有电流通过,如此形成的一个个电池元件,把它们串联、并联起来,就能产生一定的电压和电流,输出功率。下载本文

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